GA1206Y823JXCBT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,專為高效率、高功率密度的應(yīng)用場景設(shè)�。該器件采用先進的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,能夠顯著降低功耗并提升系統(tǒng)性能。它廣泛�(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)�、DC-DC�(zhuǎn)換器等領(lǐng)域�
這款芯片具有極佳的熱性能和電氣性能,支持高頻工作環(huán)境,同時提供出色的可靠性和�(wěn)定�,適用于工業(yè)級和消費級電子設(shè)備�
型號:GA1206Y823JXCBT31G
類型:N溝道功率MOSFET
封裝形式:TO-247
額定電壓�650V
額定電流�120A
�(dǎo)通電阻:2.5mΩ(典型值)
柵極電荷�120nC(最大值)
開關(guān)速度:快速開�(guān)
工作溫度范圍�-55℃至+175�
GA1206Y823JXCBT31G的核心優(yōu)勢在于其卓越的電氣性能和可靠性:
1. 超低�(dǎo)通電阻:僅為2.5mΩ,可有效減少�(dǎo)通損耗,提高整體效率�
2. 快速開�(guān)能力:低柵極電荷和優(yōu)化的�(nèi)部結(jié)�(gòu)使其能夠在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)�(yōu)��
3. 高耐壓�(shè)計:額定電壓高達650V,確保在高壓�(huán)境下�(wěn)定運��
4. 大電流承載能力:支持最�120A的持�(xù)電流,滿足高功率需求�
5. 熱性能�(yōu)越:采用大尺寸金屬封�,增強散熱效�,延長使用壽命�
6. 廣泛的工作溫度范圍:�-55℃到+175�,適�(yīng)各種�(yán)苛環(huán)境條��
7. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn):環(huán)保設(shè)�,滿足國際法�(guī)要求�
GA1206Y823JXCBT31G適用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. 逆變器和UPS系統(tǒng)
3. 電機�(qū)動與控制
4. DC-DC�(zhuǎn)換器
5. 工業(yè)自動化設(shè)�
6. 太陽能逆變�
7. 汽車電子系統(tǒng)
其高功率密度和高效性能使其成為上述�(yīng)用的理想選擇�
GA1206Y823JXCBT32G, IRFP260N, STP120N65E6