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GA1206Y823JXCBT31G 發(fā)布時間 時間�2025/6/6 17:03:08 查看 閱讀�4

GA1206Y823JXCBT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,專為高效率、高功率密度的應(yīng)用場景設(shè)�。該器件采用先進的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,能夠顯著降低功耗并提升系統(tǒng)性能。它廣泛�(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)�、DC-DC�(zhuǎn)換器等領(lǐng)域�
  這款芯片具有極佳的熱性能和電氣性能,支持高頻工作環(huán)境,同時提供出色的可靠性和�(wěn)定�,適用于工業(yè)級和消費級電子設(shè)備�

參數(shù)

型號:GA1206Y823JXCBT31G
  類型:N溝道功率MOSFET
  封裝形式:TO-247
  額定電壓�650V
  額定電流�120A
  �(dǎo)通電阻:2.5mΩ(典型值)
  柵極電荷�120nC(最大值)
  開關(guān)速度:快速開�(guān)
  工作溫度范圍�-55℃至+175�

特�

GA1206Y823JXCBT31G的核心優(yōu)勢在于其卓越的電氣性能和可靠性:
  1. 超低�(dǎo)通電阻:僅為2.5mΩ,可有效減少�(dǎo)通損耗,提高整體效率�
  2. 快速開�(guān)能力:低柵極電荷和優(yōu)化的�(nèi)部結(jié)�(gòu)使其能夠在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)�(yōu)��
  3. 高耐壓�(shè)計:額定電壓高達650V,確保在高壓�(huán)境下�(wěn)定運��
  4. 大電流承載能力:支持最�120A的持�(xù)電流,滿足高功率需求�
  5. 熱性能�(yōu)越:采用大尺寸金屬封�,增強散熱效�,延長使用壽命�
  6. 廣泛的工作溫度范圍:�-55℃到+175�,適�(yīng)各種�(yán)苛環(huán)境條��
  7. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn):環(huán)保設(shè)�,滿足國際法�(guī)要求�

�(yīng)�

GA1206Y823JXCBT31G適用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS�
  2. 逆變器和UPS系統(tǒng)
  3. 電機�(qū)動與控制
  4. DC-DC�(zhuǎn)換器
  5. 工業(yè)自動化設(shè)�
  6. 太陽能逆變�
  7. 汽車電子系統(tǒng)
  其高功率密度和高效性能使其成為上述�(yīng)用的理想選擇�

替代型號

GA1206Y823JXCBT32G, IRFP260N, STP120N65E6

ga1206y823jxcbt31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.082 μF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定200V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-