時間：2025/5/29 18:15:59
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GA1206Y822MXBBT31G 是一款高性能的存儲器芯片，屬于 NAND Flash 類型。它主要用于需要大容量數(shù)據(jù)存儲的應(yīng)用場景，例如固態(tài)硬盤（SSD）、USB 閃存盤、嵌入式存儲設(shè)備等。該芯片采用先進的工藝制程，具備高可靠性和低功耗的特點。
此型號集成了多平面架構(gòu)和糾錯功能，能夠顯著提高數(shù)據(jù)讀寫速度和存儲壽命。其設(shè)計支持多種接口標(biāo)準(zhǔn)，確保與主流系統(tǒng)的兼容性。
容量：128GB
接口類型：Toggle DDR 2.0
工作電壓：1.8V
數(shù)據(jù)傳輸速率：400MT/s
封裝形式：BGA
工作溫度范圍：-40℃ 至 +85℃
擦寫壽命：3000 次
頁大�。�16KB
塊大�。�2MB
GA1206Y822MXBBT31G 提供了卓越的性能和可靠性，適用于對存儲密度要求較高的環(huán)境。以下是該芯片的主要特點：
1. 高容量設(shè)計：通過堆疊技術(shù)實現(xiàn)大容量存儲。
2. 快速數(shù)據(jù)傳輸：支持 Toggle DDR 2.0 接口，最高可達 400MT/s 的傳輸速率。
3. 多平面操作：允許同時訪問多個存儲平面，進一步提升性能。
4. ECC 糾錯能力：內(nèi)置強大的糾錯算法，保障數(shù)據(jù)完整性。
5. 耐用性：采用優(yōu)化的 NAND 單元結(jié)構(gòu)，延長使用壽命。
6. 低功耗運行：在待機和活動模式下均表現(xiàn)出較低的能耗水平。
7. 廣泛的工作溫度范圍：適合工業(yè)級和消費級應(yīng)用。
該芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 固態(tài)硬盤（SSD）：作為主存儲介質(zhì)提供快速的數(shù)據(jù)訪問能力。
2. USB 閃存盤：用于便攜式數(shù)據(jù)存儲解決方案。
3. 嵌入式系統(tǒng)：為物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備、智能家電等提供可靠的存儲支持。
4. 移動設(shè)備：如平板電腦和智能手機中的內(nèi)部存儲單元。
5. 數(shù)據(jù)記錄儀：用于長時間記錄和保存關(guān)鍵信息。
由于其優(yōu)異的性能和穩(wěn)定性，GA1206Y822MXBBT31G 成為許多高需求應(yīng)用場景的理想選擇。
GA1206Y822MXBBT32G, GA1206Y822MXBBT33G
