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NRS4018T220MDGJV 發(fā)布時間 時間�2025/4/30 16:45:29 查看 閱讀�44

NRS4018T220MDGJV 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效功率晶體管,專為高頻和高功率密度應(yīng)用設(shè)�。該器件采用先�(jìn)的封裝工�,能夠顯著提高開�(guān)頻率并降低導(dǎo)通損�,適用于各種電源�(zhuǎn)換場景。其高耐壓性能和低�(dǎo)通電阻使其成為傳�(tǒng)硅基 MOSFET 的理想替代方��
  這款芯片主要面向需要高效率、快速響�(yīng)和小尺寸解決方案的市場,廣泛�(yīng)用于服務(wù)器電�、通信�(shè)備、工�(yè)電源以及消費類電子產(chǎn)品的適配器等�(lǐng)��

參數(shù)

型號:NRS4018T220MDGJV
  類型:增�(qiáng)� GaN 功率晶體�
  最大漏源電壓:650 V
  連續(xù)漏極電流�8 A
  �(dǎo)通電阻:160 mΩ
  柵極電荷�30 nC
  反向恢復(fù)時間:無
  工作溫度范圍�-55°C � +150°C
  封裝形式:TO-252(DPAK)

特�

NRS4018T220MDGJV 具備以下�(guān)鍵特性:
  1. 高擊穿電壓(650V�,確保在高壓�(huán)境下的穩(wěn)定運��
  2. 極低的導(dǎo)通電阻(160mΩ�,可有效降低傳導(dǎo)損�,提升整體效率�
  3. 快速開�(guān)能力,支持高�(dá)幾兆赫茲的工作頻�,非常適合高頻應(yīng)��
  4. 采用 DPAK 封裝,提供優(yōu)異的熱性能和電氣連接可靠��
  5. �(nèi)置保�(hù)功能,包括過流保�(hù)和短路保�(hù),提高系�(tǒng)安全��
  6. 與傳�(tǒng)的硅� MOSFET 相比,GaN 技�(shù)帶來更高的功率密度和更小的體�,有助于簡化�(shè)計并降低成本�

�(yīng)�

NRS4018T220MDGJV 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器
  3. 電機(jī)�(qū)動電�
  4. 太陽能逆變�
  5. 無線充電模塊
  6. �(shù)�(jù)中心和電信設(shè)備中的高效電源管�
  7. 筆記本電腦及平板電腦適配�
  由于其高性能和高可靠�,該芯片特別適合需要小型化和高效率的應(yīng)用場��

替代型號

NRS4018T220MDGJVA, NRS4018T220MDGJVB, NRS4018T220MDGJVC

nrs4018t220mdgjv推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

nrs4018t220mdgjv參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�6,982�(xiàn)�
  • 價格1 : �3.18000剪切帶(CT�3,500 : �1.21075卷帶(TR�
  • 系列NR, S Type
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)不適用于新設(shè)�
  • 類型鼓芯,繞線式
  • 材料 - 磁芯鐵氧�
  • 電感22 μH
  • 容差±20%
  • 額定電流(安培)720 mA
  • 電流 - 飽和 (Isat�900mA
  • 屏蔽屏蔽
  • DC 電阻 (DCR)348 毫歐最�
  • 不同頻率� Q �-
  • 頻率 - 自諧�15MHz
  • 等級AEC-Q200
  • 工作溫度-40°C ~ 125°C
  • 電感頻率 - 測試100 kHz
  • 特�-
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 封裝/外殼非標(biāo)�(zhǔn)
  • 供應(yīng)商器件封�-
  • 大小 / 尺寸0.157" � x 0.157" 寬(4.00mm x 4.00mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)0.071"�1.80mm�