NRS4018T220MDGJV 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效功率晶體管,專為高頻和高功率密度應(yīng)用設(shè)�。該器件采用先�(jìn)的封裝工�,能夠顯著提高開�(guān)頻率并降低導(dǎo)通損�,適用于各種電源�(zhuǎn)換場景。其高耐壓性能和低�(dǎo)通電阻使其成為傳�(tǒng)硅基 MOSFET 的理想替代方��
這款芯片主要面向需要高效率、快速響�(yīng)和小尺寸解決方案的市場,廣泛�(yīng)用于服務(wù)器電�、通信�(shè)備、工�(yè)電源以及消費類電子產(chǎn)品的適配器等�(lǐng)��
型號:NRS4018T220MDGJV
類型:增�(qiáng)� GaN 功率晶體�
最大漏源電壓:650 V
連續(xù)漏極電流�8 A
�(dǎo)通電阻:160 mΩ
柵極電荷�30 nC
反向恢復(fù)時間:無
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
封裝形式:TO-252(DPAK)
NRS4018T220MDGJV 具備以下�(guān)鍵特性:
1. 高擊穿電壓(650V�,確保在高壓�(huán)境下的穩(wěn)定運��
2. 極低的導(dǎo)通電阻(160mΩ�,可有效降低傳導(dǎo)損�,提升整體效率�
3. 快速開�(guān)能力,支持高�(dá)幾兆赫茲的工作頻�,非常適合高頻應(yīng)��
4. 采用 DPAK 封裝,提供優(yōu)異的熱性能和電氣連接可靠��
5. �(nèi)置保�(hù)功能,包括過流保�(hù)和短路保�(hù),提高系�(tǒng)安全��
6. 與傳�(tǒng)的硅� MOSFET 相比,GaN 技�(shù)帶來更高的功率密度和更小的體�,有助于簡化�(shè)計并降低成本�
NRS4018T220MDGJV 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)�(qū)動電�
4. 太陽能逆變�
5. 無線充電模塊
6. �(shù)�(jù)中心和電信設(shè)備中的高效電源管�
7. 筆記本電腦及平板電腦適配�
由于其高性能和高可靠�,該芯片特別適合需要小型化和高效率的應(yīng)用場��
NRS4018T220MDGJVA, NRS4018T220MDGJVB, NRS4018T220MDGJVC