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GA1206Y822JXBBR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/28 17:48:05 查看 閱讀�13

GA1206Y822JXBBR31G 是一款高性能� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),適用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場�。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),從而提高了整體效率并降低了功��
  該型�(hào)屬于溝道� MOSFET 系列,主要應(yīng)用于消費(fèi)電子、工�(yè)控制以及通信�(shè)備等�(lǐng)��

參數(shù)

類型:N-Channel MOSFET
  最大漏源電�(Vdss)�60V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�31A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�2.2mΩ
  柵極電荷(Qg)�75nC
  總熱�(�(jié)到殼)�0.9°C/W
  工作溫度范圍�-55°C � 175°C

特�

GA1206Y822JXBBR31G 具有以下�(guān)鍵特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電� (2.2mΩ),能夠顯著降低傳�(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
  2. 快速開�(guān)性能,支持高頻應(yīng)��
  3. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)了器件的魯棒性和可靠��
  4. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保設(shè)�(jì)�
  5. 小型封裝�(shè)�(jì),適合高密度布局�
  6. 寬工作溫度范� (-55°C � 175°C),適�(yīng)多種�(huán)境條件�
  這些特性使� GA1206Y822JXBBR31G 成為高效�、高可靠性的功率�(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

GA1206Y822JXBBR31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和逆變��
  3. 電池管理及保�(hù)系統(tǒng)�
  4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的負(fù)載切��
  5. 工業(yè)�(shè)備中的功率控制模��
  其卓越的性能和可靠性使其成為許多現(xiàn)代電子設(shè)備的核心元件之一�

替代型號(hào)

GA1206Y822JXBBR30G, IRF3205, FDP55N06L

ga1206y822jxbbr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容8200 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-