GA1206Y822JXBBR31G 是一款高性能� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),適用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場�。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),從而提高了整體效率并降低了功��
該型�(hào)屬于溝道� MOSFET 系列,主要應(yīng)用于消費(fèi)電子、工�(yè)控制以及通信�(shè)備等�(lǐng)��
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電�(Vdss)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�31A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�2.2mΩ
柵極電荷(Qg)�75nC
總熱�(�(jié)到殼)�0.9°C/W
工作溫度范圍�-55°C � 175°C
GA1206Y822JXBBR31G 具有以下�(guān)鍵特性:
1. 極低的導(dǎo)通電� (2.2mΩ),能夠顯著降低傳�(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)性能,支持高頻應(yīng)��
3. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)了器件的魯棒性和可靠��
4. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保設(shè)�(jì)�
5. 小型封裝�(shè)�(jì),適合高密度布局�
6. 寬工作溫度范� (-55°C � 175°C),適�(yīng)多種�(huán)境條件�
這些特性使� GA1206Y822JXBBR31G 成為高效�、高可靠性的功率�(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇�
GA1206Y822JXBBR31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和逆變��
3. 電池管理及保�(hù)系統(tǒng)�
4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的負(fù)載切��
5. 工業(yè)�(shè)備中的功率控制模��
其卓越的性能和可靠性使其成為許多現(xiàn)代電子設(shè)備的核心元件之一�
GA1206Y822JXBBR30G, IRF3205, FDP55N06L