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GA1206Y683KXBBR31G 發(fā)布時間 時間�2025/6/6 17:03:55 查看 閱讀�5

GA1206Y683KXBBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于開關電�、電機驅動和負載切換等應用領�。該器件采用先進的制造工�,在高頻開關條件下表�(xiàn)出優(yōu)異的性能,同時具備低導通電阻和高耐壓能力,能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
  該芯片屬于溝道型 MOSFET,支持快速開關操作,適合用于需要高效率和高可靠性的電路設計�

參數(shù)

類型:N-Channel MOSFET
  最大漏源電壓:650 V
  連續(xù)漏極電流�12 A
  導通電阻:0.068 Ω
  柵極電荷�35 nC
  開關速度:快速開�
  工作溫度范圍�-55� � +150�
  封裝形式:TO-247

特�

GA1206Y683KXBBR31G 具有以下顯著特性:
  1. 高擊穿電壓:其額定漏源電壓高� 650V,確保在高壓�(huán)境下�(wěn)定運��
  2. 低導通電阻:導通電阻僅� 0.068Ω,在大電流條件下可減少發(fā)熱和功率損��
  3. 快速開關性能:得益于�(yōu)化的設計結構,其柵極電荷較低�35nC),從而實�(xiàn)快速開關操�,適合高頻應��
  4. 寬工作溫度范圍:� -55� � +150� 的寬溫范圍使其適用于各種惡劣�(huán)境�
  5. 高可靠性:通過了多項嚴格的測試驗證,保證在長時間運行中的穩(wěn)定性�
  這些特點使得 GA1206Y683KXBBR31G 成為開關電源、逆變器和電機控制等應用的理想選擇�

應用

該芯片廣泛應用于以下領域�
  1. 開關電源(SMPS):由于其高耐壓特性和低導通電�,非常適合用作主開關��
  2. 電機驅動:可用于直流無刷電機或步進電機的驅動電路中,提供高效的功率輸��
  3. 工業(yè)設備:如焊接�、UPS 不間斷電源等需要高功率密度的應用�
  在汽車電子和消費類電子產(chǎn)品中,用于電池管理和負載保護�
  總之,GA1206Y683KXBBR31G 憑借其�(yōu)越的電氣性能和可靠�,成為眾多功率轉換和控制場景的核心元件�

替代型號

IRFZ44N
  FDP5500
  STP12NK65Z

ga1206y683kxbbr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.068 μF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • 應用汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-