216P9NZCGA11H 是一種高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開關電�、電機驅動和DC-DC轉換器等應用領域。該芯片具有低導通電�、高開關速度和出色的熱性能,能夠有效提升系�(tǒng)效率并減少能��
該器件采用先進的半導體制造工藝,具備良好的穩(wěn)定性和可靠�,適合在嚴苛的工作環(huán)境下使用。其封裝形式通常為表面貼裝類�,便于自動化生產和組裝�
最大漏源電壓:100V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�45A
導通電阻:1.2mΩ
柵極電荷�75nC
開關速度�10ns
工作溫度范圍�-55℃至175�
216P9NZCGA11H 的主要特性包括:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,能夠在高電流條件下降低功��
2. 快速的開關速度,減少了開關損耗并提高了工作效��
3. 高耐壓能力,確保在高壓�(huán)境下的安全運��
4. �(yōu)異的熱性能設計,可快速散�(fā)熱量以保持穩(wěn)定的性能�
5. 具備靜電防護功能,增強了芯片的耐用��
6. 符合RoHS標準,綠色環(huán)保且無鉛無鹵��
該芯片廣泛應用于以下領域�
1. 開關電源(SMPS)和AC-DC適配器中作為主開關管�
2. 各類電機驅動電路,例如電動車�、風扇或泵浦控制�
3. DC-DC轉換器和降壓/升壓電路中的功率級元件�
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電保護和負載切��
5. 工業(yè)自動化設備中的功率調節(jié)模塊�
6. LED驅動器以及各類高效能電源管理方案�
216P9NZCGA11G, IRF840, FQP17N10