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GA1206Y563JXABR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/30 20:38:57 查看 閱讀�9

GA1206Y563JXABR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)� DC-DC �(zhuǎn)換等�(yīng)用領(lǐng)域。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠在高頻工作條件下提供高效的功率�(zhuǎn)換性能�
  此型�(hào)� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET,其封裝形式為行�(yè)�(biāo)�(zhǔn)的小型表面貼裝類�,適合高密度電路�(shè)�(jì)�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  持續(xù)漏極電流�12A
  �(dǎo)通電阻:4.5mΩ
  柵極電荷�45nC
  開關(guān)速度:超高�
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

GA1206Y563JXABR31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高效率�
  2. 高速開�(guān)能力,適用于高頻 PWM 控制器�
  3. �(qiáng)大的熱穩(wěn)定�,確保在極端�(huán)境下的可靠運(yùn)��
  4. 小尺寸封�,便� PCB 布局�(yōu)��
  5. �(nèi)置靜電保�(hù)功能,提升器件的抗干擾能��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且支持無鉛焊接工藝�

�(yīng)�

這款 MOSFET 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) 和適配器�
  2. 電機(jī)控制與驅(qū)�(dòng)電路�
  3. DC-DC �(zhuǎn)換器� POL (Point of Load) �(diào)節(jié)�
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切��
  5. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的保護(hù)電路�
  6. LED �(qū)�(dòng)和汽車電子系�(tǒng)中的功率管理模塊�

替代型號(hào)

IRF540N
  FDP5570
  STP12NF06L

ga1206y563jxabr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.056 μF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-