GA1206Y563JXABR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)� DC-DC �(zhuǎn)換等�(yīng)用領(lǐng)域。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠在高頻工作條件下提供高效的功率�(zhuǎn)換性能�
此型�(hào)� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET,其封裝形式為行�(yè)�(biāo)�(zhǔn)的小型表面貼裝類�,適合高密度電路�(shè)�(jì)�
最大漏源電壓:60V
持續(xù)漏極電流�12A
�(dǎo)通電阻:4.5mΩ
柵極電荷�45nC
開關(guān)速度:超高�
工作溫度范圍�-55� � +175�
GA1206Y563JXABR31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高效率�
2. 高速開�(guān)能力,適用于高頻 PWM 控制器�
3. �(qiáng)大的熱穩(wěn)定�,確保在極端�(huán)境下的可靠運(yùn)��
4. 小尺寸封�,便� PCB 布局�(yōu)��
5. �(nèi)置靜電保�(hù)功能,提升器件的抗干擾能��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且支持無鉛焊接工藝�
這款 MOSFET 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 和適配器�
2. 電機(jī)控制與驅(qū)�(dòng)電路�
3. DC-DC �(zhuǎn)換器� POL (Point of Load) �(diào)節(jié)�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切��
5. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的保護(hù)電路�
6. LED �(qū)�(dòng)和汽車電子系�(tǒng)中的功率管理模塊�
IRF540N
FDP5570
STP12NF06L