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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1206Y562MBJBT31G

GA1206Y562MBJBT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/6 17:00:34 查看 閱讀�4

GA1206Y562MBJBT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,采用先�(jìn)的制造工藝以確保低導(dǎo)通電阻和高效率。該芯片廣泛�(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等場(chǎng)�。其�(shè)�(jì)注重提高能效并降低熱損�,同�(shí)具備出色的耐用性和可靠性�
  該器件屬于溝道增�(qiáng)� MOSFET,具有快速開�(guān)速度和較低的柵極電荷特�,從而非常適合高頻應(yīng)用環(huán)��

參數(shù)

類型:N溝道 MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�60V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�31A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�1.4mΩ(典型�,在Vgs=10V�(shí)�
  柵極電荷(Qg)�80nC
  開關(guān)頻率:支持高�(dá)1MHz的應(yīng)�
  工作溫度范圍�-55℃至+175�
  封裝形式:TO-247

特�

GA1206Y562MBJBT31G 提供了卓越的電氣性能,包括超低導(dǎo)通電阻和高電流承載能�。這些特點(diǎn)使其成為高效功率�(zhuǎn)換的理想選擇�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on))顯著減少了傳導(dǎo)損耗,并提高了整體系統(tǒng)的效��
  2. 快速開�(guān)速度降低了開�(guān)損�,特別適合高頻應(yīng)��
  3. 高度可靠的結(jié)�(gòu)�(shè)�(jì)能夠承受�(yán)苛的工作條件,例如極端溫度或瞬態(tài)電壓波動(dòng)�
  4. 采用了堅(jiān)固耐用的封裝技�(shù),增�(qiáng)了散熱性能和機(jī)械強(qiáng)��
  5. 具備短路保護(hù)功能,可防止因意外負(fù)載過載而導(dǎo)�?lián)p��
  此外,它還擁有較小的寄生電感與電�,�(jìn)一步優(yōu)化了�(dòng)�(tài)響應(yīng)特性�

�(yīng)�

這款功率 MOSFET 芯片適用于多種工�(yè)及消�(fèi)類電子產(chǎn)品領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開�(guān)管或同步整流��
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的高頻開關(guān)元件�
  3. 電動(dòng)工具、家用電器和工業(yè)�(shè)備中的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
  4. 太陽能逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)中的功率�(diào)節(jié)模塊�
  5. 電動(dòng)汽車(EV)和混合動(dòng)力汽�(HEV)中的電池管理系統(tǒng)(BMS)及牽引逆變��
  6. 高效照明系統(tǒng)如LED燈條的驅(qū)�(dòng)電路�
  由于其強(qiáng)大的性能指標(biāo)和廣泛的適應(yīng)�,GA1206Y562MBJBT31G 成為了眾多設(shè)�(jì)工程師首選的功率半導(dǎo)體解決方案�

替代型號(hào)

GA1206Y562MBJBT30G
  IRF3710
  FDP55N06L
  STP36NF06L

ga1206y562mbjbt31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容5600 pF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定16V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-