GA1206Y562MBJBT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,采用先�(jìn)的制造工藝以確保低導(dǎo)通電阻和高效率。該芯片廣泛�(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等場(chǎng)�。其�(shè)�(jì)注重提高能效并降低熱損�,同�(shí)具備出色的耐用性和可靠性�
該器件屬于溝道增�(qiáng)� MOSFET,具有快速開�(guān)速度和較低的柵極電荷特�,從而非常適合高頻應(yīng)用環(huán)��
類型:N溝道 MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�31A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�1.4mΩ(典型�,在Vgs=10V�(shí)�
柵極電荷(Qg)�80nC
開關(guān)頻率:支持高�(dá)1MHz的應(yīng)�
工作溫度范圍�-55℃至+175�
封裝形式:TO-247
GA1206Y562MBJBT31G 提供了卓越的電氣性能,包括超低導(dǎo)通電阻和高電流承載能�。這些特點(diǎn)使其成為高效功率�(zhuǎn)換的理想選擇�
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on))顯著減少了傳導(dǎo)損耗,并提高了整體系統(tǒng)的效��
2. 快速開�(guān)速度降低了開�(guān)損�,特別適合高頻應(yīng)��
3. 高度可靠的結(jié)�(gòu)�(shè)�(jì)能夠承受�(yán)苛的工作條件,例如極端溫度或瞬態(tài)電壓波動(dòng)�
4. 采用了堅(jiān)固耐用的封裝技�(shù),增�(qiáng)了散熱性能和機(jī)械強(qiáng)��
5. 具備短路保護(hù)功能,可防止因意外負(fù)載過載而導(dǎo)�?lián)p��
此外,它還擁有較小的寄生電感與電�,�(jìn)一步優(yōu)化了�(dòng)�(tài)響應(yīng)特性�
這款功率 MOSFET 芯片適用于多種工�(yè)及消�(fèi)類電子產(chǎn)品領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開�(guān)管或同步整流��
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的高頻開關(guān)元件�
3. 電動(dòng)工具、家用電器和工業(yè)�(shè)備中的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
4. 太陽能逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)中的功率�(diào)節(jié)模塊�
5. 電動(dòng)汽車(EV)和混合動(dòng)力汽�(HEV)中的電池管理系統(tǒng)(BMS)及牽引逆變��
6. 高效照明系統(tǒng)如LED燈條的驅(qū)�(dòng)電路�
由于其強(qiáng)大的性能指標(biāo)和廣泛的適應(yīng)�,GA1206Y562MBJBT31G 成為了眾多設(shè)�(jì)工程師首選的功率半導(dǎo)體解決方案�
GA1206Y562MBJBT30G
IRF3710
FDP55N06L
STP36NF06L