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GA1206Y562KBBBR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/6 16:58:23 查看 閱讀�5

GA1206Y562KBBBR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)�(dòng)等場(chǎng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能,能夠顯著提高系�(tǒng)的效率和可靠��
  該型�(hào)屬于增強(qiáng)型N溝道MOSFET,其�(shè)�(jì)旨在滿足高效率電力轉(zhuǎn)換需�。通過�(yōu)化的單元�(jié)�(gòu)和封裝技�(shù),GA1206Y562KBBBR31G能夠在高頻工作條件下保持較低的開�(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�40A
  �(dǎo)通電阻:1.2mΩ
  柵極電荷�75nC
  輸入電容�2200pF
  最大功耗:180W
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

GA1206Y562KBBBR31G的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,在典型工作條件下僅�1.2mΩ,有助于減少傳導(dǎo)損��
  2. 高速開�(guān)能力,具有較小的柵極電荷和輸出電荷,適合高頻�(yīng)��
  3. �(qiáng)大的散熱性能,支持高功率密度�(shè)�(jì)�
  4. 增強(qiáng)的雪崩能力和魯棒�,適用于�(yán)苛的工作�(huán)��
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�
  6. 支持表面貼裝技�(shù)(SMD�,便于自�(dòng)化生�(chǎn)和緊湊型�(shè)�(jì)�

�(yīng)�

GA1206Y562KBBBR31G廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流和主開�(guān)�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器,特別是在高效率降壓或升壓拓?fù)渲小?br>  3. 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
  4. 工業(yè)控制和自�(dòng)化設(shè)備中的功率管理模��
  5. 新能源領(lǐng)域如太陽能逆變器和�(chǔ)能系�(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換部分�

替代型號(hào)

IRF740,
  STP40NF06,
  FDP5500,
  AO4402

ga1206y562kbbbr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容5600 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-