GA1206Y562KBBBR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)�(dòng)等場(chǎng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能,能夠顯著提高系�(tǒng)的效率和可靠��
該型�(hào)屬于增強(qiáng)型N溝道MOSFET,其�(shè)�(jì)旨在滿足高效率電力轉(zhuǎn)換需�。通過�(yōu)化的單元�(jié)�(gòu)和封裝技�(shù),GA1206Y562KBBBR31G能夠在高頻工作條件下保持較低的開�(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�40A
�(dǎo)通電阻:1.2mΩ
柵極電荷�75nC
輸入電容�2200pF
最大功耗:180W
工作溫度范圍�-55� � +175�
GA1206Y562KBBBR31G的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,在典型工作條件下僅�1.2mΩ,有助于減少傳導(dǎo)損��
2. 高速開�(guān)能力,具有較小的柵極電荷和輸出電荷,適合高頻�(yīng)��
3. �(qiáng)大的散熱性能,支持高功率密度�(shè)�(jì)�
4. 增強(qiáng)的雪崩能力和魯棒�,適用于�(yán)苛的工作�(huán)��
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�
6. 支持表面貼裝技�(shù)(SMD�,便于自�(dòng)化生�(chǎn)和緊湊型�(shè)�(jì)�
GA1206Y562KBBBR31G廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流和主開�(guān)�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器,特別是在高效率降壓或升壓拓?fù)渲小?br> 3. 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
4. 工業(yè)控制和自�(dòng)化設(shè)備中的功率管理模��
5. 新能源領(lǐng)域如太陽能逆變器和�(chǔ)能系�(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換部分�
IRF740,
STP40NF06,
FDP5500,
AO4402