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GA1206Y393JBABT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/28 17:41:21 查看 閱讀�15

GA1206Y393JBABT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于高效率電源轉(zhuǎn)換場�。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、快速開�(guān)速度以及良好的熱性能等優(yōu)�。其�(shè)�(jì)旨在滿足�(xiàn)代電力電子設(shè)備對(duì)高效能和可靠性的需�,廣泛用于開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)器、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他需要高頻開�(guān)操作的領(lǐng)��
  此型�(hào)屬于功率MOSFET系列,具體參�(shù)和特性使其在高電流和高壓�(yīng)用中表現(xiàn)�(yōu)��

參數(shù)

類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�60V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�30A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�4mΩ
  柵極電荷(Qg)�50nC
  總功�(Ptot)�75W
  工作溫度范圍�-55℃至175�
  封裝形式:TO-247

特�

GA1206Y393JBABT31G 具備以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于降低�(dǎo)通損耗,提高整體系統(tǒng)效率�
  2. 快速的開關(guān)速度,減少了開關(guān)損耗,適合高頻�(yīng)��
  3. 高耐壓能力,能夠承受高�(dá)60V的漏源電�,保證了在各種工況下的穩(wěn)定運(yùn)行�
  4. 大電流處理能�,支持高�(dá)30A的連續(xù)漏極電流,適用于高功率場��
  5. 出色的熱�(wěn)定�,確保在高溫�(huán)境下也能保持可靠的性能�
  6. 小巧緊湊的封裝設(shè)�(jì),節(jié)省PCB空間,便于集成到各類電子�(shè)備中�

�(yīng)�

該芯片適用于以下�(yīng)用場景:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的主開�(guān)管或同步整流��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率�(jí)開關(guān)�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率輸出�(jí)�
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保護(hù)開關(guān)�
  5. 各類工業(yè)控制�(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換模塊�
  6. LED�(qū)�(dòng)器中的功率調(diào)節(jié)元件�
  由于其出色的性能,GA1206Y393JBABT31G 在需要高效功率轉(zhuǎn)換和精確電流控制的場合尤為適��

替代型號(hào)

IRF540N
  FDP5500
  STP30NF06L

ga1206y393jbabt31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.039 μF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-