GA1206Y393JBABT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于高效率電源轉(zhuǎn)換場�。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、快速開�(guān)速度以及良好的熱性能等優(yōu)�。其�(shè)�(jì)旨在滿足�(xiàn)代電力電子設(shè)備對(duì)高效能和可靠性的需�,廣泛用于開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)器、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他需要高頻開�(guān)操作的領(lǐng)��
此型�(hào)屬于功率MOSFET系列,具體參�(shù)和特性使其在高電流和高壓�(yīng)用中表現(xiàn)�(yōu)��
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�30A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�4mΩ
柵極電荷(Qg)�50nC
總功�(Ptot)�75W
工作溫度范圍�-55℃至175�
封裝形式:TO-247
GA1206Y393JBABT31G 具備以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于降低�(dǎo)通損耗,提高整體系統(tǒng)效率�
2. 快速的開關(guān)速度,減少了開關(guān)損耗,適合高頻�(yīng)��
3. 高耐壓能力,能夠承受高�(dá)60V的漏源電�,保證了在各種工況下的穩(wěn)定運(yùn)行�
4. 大電流處理能�,支持高�(dá)30A的連續(xù)漏極電流,適用于高功率場��
5. 出色的熱�(wěn)定�,確保在高溫�(huán)境下也能保持可靠的性能�
6. 小巧緊湊的封裝設(shè)�(jì),節(jié)省PCB空間,便于集成到各類電子�(shè)備中�
該芯片適用于以下�(yīng)用場景:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的主開�(guān)管或同步整流��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率�(jí)開關(guān)�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率輸出�(jí)�
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保護(hù)開關(guān)�
5. 各類工業(yè)控制�(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換模塊�
6. LED�(qū)�(dòng)器中的功率調(diào)節(jié)元件�
由于其出色的性能,GA1206Y393JBABT31G 在需要高效功率轉(zhuǎn)換和精確電流控制的場合尤為適��
IRF540N
FDP5500
STP30NF06L