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GA1206Y221MBLBR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/12 17:42:43 查看 閱讀�20

GA1206Y221MBLBR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)等領(lǐng)域。該芯片采用了先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠有效提升系�(tǒng)效率并降低能耗�
  該器件支持高頻率操作,并且具有優(yōu)異的熱性能表現(xiàn),使其在緊湊型設(shè)�(jì)中仍然保持高效穩(wěn)定的工作狀�(tài)�

參數(shù)

型號(hào):GA1206Y221MBLBR31G
  類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�120V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�60A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�1.8mΩ(典型值,于Vgs=10V�(shí)�
  輸入電容(Ciss)�2200pF
  總柵極電�(Qg)�95nC
  工作溫度范圍(Tj)�-55℃至+175�

特�

GA1206Y221MBLBR31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),能夠顯著減少導(dǎo)通損耗,提高整體效率�
  2. 快速開�(guān)能力,支持高頻應(yīng)�,有助于減小磁性元件體積�
  3. �(yōu)秀的熱�(wěn)定�,能夠在高溫�(huán)境下持續(xù)可靠地運(yùn)��
  4. �(nèi)置ESD保護(hù)電路,增�(qiáng)了器件的抗靜電能��
  5. 高電流承載能力,適用于大功率�(yīng)用場��
  6. 小型化封裝設(shè)�(jì),便于在空間受限的應(yīng)用中使用�
  7. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)保無鉛工��

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率�(zhuǎn)換級�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流或主開關(guān)��
  3. 電動(dòng)工具及家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)控制�
  4. 新能源汽車中的電池管理系�(tǒng)(BMS)與逆變器模��
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換與功率�(diào)節(jié)�
  6. 光伏逆變器和其他可再生能源相�(guān)�(chǎn)品中的功率處理單��

替代型號(hào)

GA1206Y221MBLBR32G, IRFZ44N, FDP55N12

ga1206y221mblbr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容220 pF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定630V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-