PL30N06是一種N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),廣泛應用于功率�(zhuǎn)�、負載開關、電機驅(qū)動等場景。它具有低導通電阻和快速開關特�,適合用于高效能電子設備��
該器件采用TO-252/DPAK封裝形式,能夠提供較高的電流承載能力,并且具備良好的散熱性能�
最大漏源電壓Vds�60V
最大柵源電壓Vgs:�20V
連續(xù)漏極電流Id�30A
導通電阻Rds(on)�8mΩ(在Vgs=10V時)
總功耗Ptot�47W
結溫范圍Tj�-55� to +150�
PL30N06的主要特性包括以下幾點:
1. 高電流處理能�,額定值高�30A,滿足大功率應用需��
2. 極低的導通電阻(8mΩ�,有助于降低導通損耗并提高系統(tǒng)效率�
3. 快速開關速度,適用于高頻開關電源及DC-DC�(zhuǎn)換器�
4. 具備�(yōu)異的熱穩(wěn)定性,能夠在寬廣的工作溫度范圍�(nèi)可靠運行�
5. 小尺寸表面貼裝DPAK封裝,簡化PCB設計并節(jié)省空間�
PL30N06非常適合以下應用場景�
1. 開關電源(SMPS)中的功率開關�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器與POL�(diào)節(jié)器的核心元件�
3. 各種負載開關控制,如USB充電端口保護�
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電路徑管��
5. 電機�(qū)動電路中的功率級�(qū)��
IRLZ44N, AO3400A