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BSC018N04LS G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/29 10:28:25 查看 閱讀�38

BSC018N04LS G 是一款由 Infineon(英飛凌)生�(chǎn)� N �(méi)爾場(chǎng)效應(yīng)晶體管(N-MOSFET)。該器件采用先�(jìn)� Trench 技�(shù)制�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)性能的特�(diǎn)。其典型�(yīng)用包� DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載開(kāi)�(guān)和電池保�(hù)電路�。該器件的封裝形式為 SOT223,能夠提供出色的功率密度和散熱性能�
  BSC018N04LS G 的額定電壓為 40V,適合在低壓�(yīng)用場(chǎng)景中使用。其低導(dǎo)通電阻有助于減少功率損耗并提高整體系統(tǒng)效率�

參數(shù)

最大漏源電壓:40V
  連續(xù)漏極電流�9.6A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):18mΩ
  柵極電荷�17nC
  總電容:250pF
  工作溫度范圍�-55� � +150�
  封裝形式:SOT223

特�

BSC018N04LS G 具有以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于降低傳導(dǎo)損�,并提升系統(tǒng)的能效表�(xiàn)�
  2. 快速開(kāi)�(guān)能力,適合高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)��
  3. 高雪崩能量能力,增強(qiáng)器件的耐用性和可靠��
  4. 小型封裝�(shè)�(jì)(SOT223�,節(jié)� PCB 空間�
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(xiàn)代電子設(shè)備的需求�
  6. 支持寬泛的工作溫度范�,適�(yīng)各種�(huán)境條件下的使用需��
  這些特性使 BSC018N04LS G 成為高效能、緊湊型電源管理解決方案的理想選��

�(yīng)�

BSC018N04LS G 可廣泛應(yīng)用于多種�(lǐng)域,包括但不限于�
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的同步整流和主開(kāi)�(guān)�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的高端或低端開(kāi)�(guān)�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)元件�
  4. 各類(lèi)�(fù)載開(kāi)�(guān)和電池保�(hù)電路�
  5. 便攜式電�6. 工業(yè)自動(dòng)化控制中的繼電器替代方案�
  由于其出色的性能和可靠�,BSC018N04LS G 在消�(fèi)電子、工�(yè)控制和汽�(chē)電子等領(lǐng)域均得到了廣泛應(yīng)��

替代型號(hào)

BSC018N04LS_G, IPP018N04L

bsc018n04ls g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

bsc018n04ls g參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表BSC018N04LS G
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝5,000
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列OptiMOS™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電�(Vdss)40V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C100A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.8 毫歐 @ 50A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2V @ 85µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs150nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds12000pF @ 20V
  • 功率 - 最�125W
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝
  • 封裝/外殼8-PowerTDFN
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PG-TDSON-8�5.15x6.15�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱(chēng)SP000388293