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GA1206Y183KXJBT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/6 16:58:35 查看 閱讀�4

GA1206Y183KXJBT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和工�(yè)自動(dòng)化等�(lǐng)域。該芯片采用了先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提升系�(tǒng)的效率和可靠�。其封裝形式為行�(yè)�(biāo)�(zhǔn)的表面貼裝類型,適合大規(guī)模自�(dòng)化生�(chǎn)�
  該器件能夠在高頻條件下保持較低的功�,同�(shí)具備良好的熱�(wěn)定性和抗電磁干擾能�,使其成為眾多高效能�(yīng)用的理想選擇�

參數(shù)

型號:GA1206Y183KXJBT31G
  類型:N-Channel MOSFET
  漏源電壓(Vdss)�60V
  連續(xù)漏極電流(Id)�18A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�3.5mΩ
  柵極電荷(Qg)�35nC
  工作溫度范圍�-55℃至+175�
  封裝形式:TO-263

特�

GA1206Y183KXJBT31G的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電�,可減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 高速開�(guān)性能,適用于高頻開關(guān)�(yīng)用�
  3. 良好的熱�(wěn)定�,能夠在高溫�(huán)境下可靠�(yùn)行�
  4. �(qiáng)大的過流保護(hù)功能,確保在異常條件下芯片的安全��
  5. 小型化設(shè)�(jì),便于在緊湊型電路板中使��
  6. 符合RoHS�(huán)保標(biāo)�(zhǔn),支持綠色電子產(chǎn)品開�(fā)�
  這些特性使得該芯片特別適合于DC-DC�(zhuǎn)換器、逆變�、電�(dòng)工具以及汽車電子等領(lǐng)域的�(yīng)��

�(yīng)�

GA1206Y183KXJBT31G主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS),如適配�、充電器等�
  2. 工業(yè)控制�(shè)備中的電�(jī)�(qū)�(dòng)�
  3. 汽車電子系統(tǒng),例如電�(dòng)助力�(zhuǎn)�(EPS)和剎車系�(tǒng)�
  4. 高效能LED照明�(qū)�(dòng)電路�
  5. 通信電源模塊及不間斷電源(UPS)�
  由于其出色的電氣性能和環(huán)境適�(yīng)能力,這款MOSFET成為了許多關(guān)鍵任�(wù)�(yīng)用中的首選解決方案�

替代型號

IRFZ44N
  STP16NF06L
  FDP16N60C

ga1206y183kxjbt31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.018 μF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定16V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-