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STD12N50M2 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/29 18:22:43 查看 閱讀�40

STD12N50M2 是一款由意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)生�(chǎn)的高壓功� N 沃特(N-Channel)MOSFET。該器件采用 TO-247 封裝,適用于高電壓和高電流應(yīng)用場(chǎng)合。其耐壓值為 500V,連續(xù)漏極電流� 12A,具有低�(dǎo)通電阻和�(yōu)異的開關(guān)性能,適合用于工�(yè)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)器、開�(guān)電源等領(lǐng)��
  STD12N50M2 的設(shè)�(jì)�(yōu)化了柵極電荷與導(dǎo)通電阻之間的�(quán)�,從而提高了系統(tǒng)的效率和可靠�。它還具備快速開�(guān)能力以及增強(qiáng)的雪崩擊穿保�(hù)功能,確保在異常條件下也能穩(wěn)定運(yùn)��

參數(shù)

最大漏源電壓:500V
  連續(xù)漏極電流�12A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):3.6Ω(典型�,Vgs=10V�(shí)�
  總柵極電荷:78nC
  輸入電容�1190pF
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�
  封裝形式:TO-247

特�

STD12N50M2 具有以下顯著特點(diǎn)�
  1. 高耐壓能力�500V�,適用于高電壓環(huán)境下的電力電子設(shè)��
  2. 低導(dǎo)通電阻(Rds(on) = 3.6Ω 典型值),能夠有效減少導(dǎo)通損耗,提高整體效率�
  3. 快速開�(guān)性能,降低開�(guān)損耗并支持高頻操作�
  4. �(qiáng)大的雪崩能量承受能力,確保在過載或短路情況下仍能安全工作�
  5. 工作溫度范圍寬廣,適�(yīng)極端�(huán)境條件�
  6. �(wěn)定性高,使用壽命長(zhǎng),可靠性強(qiáng),滿足嚴(yán)苛的工業(yè)�(yīng)用需��

�(yīng)�

STD12N50M2 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)換級(jí)�
  2. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)和控制電��
  3. 太陽能逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)�
  4. 蓄電池充電器和不間斷電源(UPS��
  5. 高壓 DC-DC �(zhuǎn)換器�
  6. 電磁閥和繼電器驅(qū)�(dòng)�
  7. 各類需要高電壓、大電流處理能力的電力電子設(shè)��

替代型號(hào)

STD12NM50, IRFP260N, FDP15N50C

std12n50m2推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

std12n50m2資料 更多>

  • 型號(hào)
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std12n50m2�(chǎn)�

std12n50m2參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • �(jià)�1 : �13.20000剪切帶(CT�2,500 : �5.59775卷帶(TR�
  • 系列MDmesh? M2
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�500 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)10A(Tc�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)380 毫歐 @ 5A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)15 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)550 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)85W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�DPAK
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線 + 接片�,SC-63