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GA1206Y122MBABT31G 發(fā)布時間 時間�2025/6/3 15:22:45 查看 閱讀�7

GA1206Y122MBABT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,專為高效率、高頻率開關(guān)�(yīng)用設(shè)計。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),適合應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)動以及DC-DC�(zhuǎn)換器等領(lǐng)��
  該型號中的具體參�(shù)編碼定義了其特定的工作電壓范�、電流承載能力以及封裝形�。通過�(yōu)化的�(jié)�(gòu)�(shè)�,這款MOSFET能夠在高頻工作條件下保持較低的開�(guān)損�,并具備出色的熱�(wěn)定性和可靠性�

參數(shù)

類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  最大漏源電壓Vds�120V
  最大柵源電壓Vgs:�20V
  連續(xù)漏極電流Id�6A
  �(dǎo)通電阻Rds(on)�75mΩ(典型�,Vgs=10V�
  總功耗Ptot�34W
  �(jié)溫范圍Tj�-55°C�+175°C
  封裝形式:TO-252(DPAK)

特�

1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),有效降低傳�(dǎo)損�,提升整體系�(tǒng)效率�
  2. 快速開�(guān)特�,能夠支持高�(dá)1MHz以上的開�(guān)頻率�
  3. �(nèi)置ESD保護(hù)功能,提高了器件在惡劣環(huán)境下的抗靜電能力�
  4. 熱增�(qiáng)型封裝設(shè)�,有助于改善散熱性能,延長使用壽命�
  5. 高雪崩擊穿能量耐受能力,確保在異常條件下也能正常運(yùn)��
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適用于多種工�(yè)及消�(fèi)類電子設(shè)��

�(yīng)�

1. 開關(guān)電源(SMPS)�(shè)計中的同步整流電路�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的主開�(guān)管或�(xù)流二極管替代方案�
  3. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的�(fù)載開�(guān)�
  4. 電機(jī)�(qū)動電路中的功率級控制元件�
  5. LED�(qū)動器中用于實(shí)�(xiàn)高效�(diào)光控制�
  6. 各種工業(yè)自動化控制設(shè)備中的功率開�(guān)組件�

替代型號

IRFZ44N
  STP12NK06Z
  FDP18N10E
  IXYS IXFN10N120T2

ga1206y122mbabt31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容1200 pF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-