GA1206Y122MBABT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,專為高效率、高頻率開關(guān)�(yīng)用設(shè)計。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),適合應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)動以及DC-DC�(zhuǎn)換器等領(lǐng)��
該型號中的具體參�(shù)編碼定義了其特定的工作電壓范�、電流承載能力以及封裝形�。通過�(yōu)化的�(jié)�(gòu)�(shè)�,這款MOSFET能夠在高頻工作條件下保持較低的開�(guān)損�,并具備出色的熱�(wěn)定性和可靠性�
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電壓Vds�120V
最大柵源電壓Vgs:�20V
連續(xù)漏極電流Id�6A
�(dǎo)通電阻Rds(on)�75mΩ(典型�,Vgs=10V�
總功耗Ptot�34W
�(jié)溫范圍Tj�-55°C�+175°C
封裝形式:TO-252(DPAK)
1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),有效降低傳�(dǎo)損�,提升整體系�(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)特�,能夠支持高�(dá)1MHz以上的開�(guān)頻率�
3. �(nèi)置ESD保護(hù)功能,提高了器件在惡劣環(huán)境下的抗靜電能力�
4. 熱增�(qiáng)型封裝設(shè)�,有助于改善散熱性能,延長使用壽命�
5. 高雪崩擊穿能量耐受能力,確保在異常條件下也能正常運(yùn)��
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適用于多種工�(yè)及消�(fèi)類電子設(shè)��
1. 開關(guān)電源(SMPS)�(shè)計中的同步整流電路�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的主開�(guān)管或�(xù)流二極管替代方案�
3. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的�(fù)載開�(guān)�
4. 電機(jī)�(qū)動電路中的功率級控制元件�
5. LED�(qū)動器中用于實(shí)�(xiàn)高效�(diào)光控制�
6. 各種工業(yè)自動化控制設(shè)備中的功率開�(guān)組件�
IRFZ44N
STP12NK06Z
FDP18N10E
IXYS IXFN10N120T2