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GA1206Y122JXBBR31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/12 17:41:55 查看 閱讀�22

GA1206Y122JXBBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,屬于溝槽型 MOSFET 系列。該芯片采用先進的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�,廣泛應(yīng)用于電源管理、電機驅(qū)動以及各類工�(yè)電子�(shè)備中�
  該型號的�(shè)計旨在優(yōu)化效率和性能,在高頻�(yīng)用場合表�(xiàn)出色。其封裝形式和電氣參�(shù)�(jīng)過優(yōu)�,能夠滿足現(xiàn)代電子系�(tǒng)對小型化和高效能的需求�

參數(shù)

類型:N-Channel MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�60V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�120A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�1.2mΩ
  柵極電荷(Qg)�85nC
  總功�(Ptot)�200W
  工作溫度范圍�-55℃至175�
  封裝形式:TO-247

特�

GA1206Y122JXBBR31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少傳導(dǎo)損耗,提升系統(tǒng)效率�
  2. 高電流承載能�,適用于大功率應(yīng)用場��
  3. 快速開�(guān)速度,適合高頻開�(guān)電源和逆變器設(shè)��
  4. 高可靠性設(shè)�,能夠在極端溫度條件下穩(wěn)定運��
  5. 具備良好的熱性能,便于散熱管��
  6. 封裝堅固耐用,適合表面貼裝和自動化生�(chǎn)流程�
  這些特性使得該器件成為許多高要求應(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

GA1206Y122JXBBR31G 可用于以下應(yīng)用領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的主開�(guān)��
  2. 電機�(qū)動電路中的功率級控制�
  3. 逆變器模塊中的功率輸出級�
  4. 太陽能逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)中的功率�(zhuǎn)��
  5. 各類工業(yè)自動化設(shè)備中的負載切��
  6. 汽車電子系統(tǒng)中的高功率開�(guān)�
  該芯片憑借其�(yōu)異的性能表現(xiàn),成為眾多高功率密度解決方案的核心元��

替代型號

GA1206Y122JXBBR32G, IRF740, FQP16N06

ga1206y122jxbbr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容1200 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-