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GA1206A682KBABR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/6 12:12:26 查看 閱讀�4

GA1206A682KBABR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,專為需要高效率和低�(dǎo)通電阻的�(yīng)用設(shè)�(jì)。該芯片采用了先�(jìn)的制造工藝,具有出色的開�(guān)特性和熱性能,適用于各種電源管理和功率轉(zhuǎn)換場景�
  這款器件主要面向工業(yè)和消�(fèi)電子�(lǐng)�,其封裝形式和電氣特性使其非常適合用� DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載開�(guān)等應(yīng)用。此�,其出色的可靠性和�(wěn)定性也使得它在多種�(fù)雜的工作�(huán)境中表現(xiàn)出色�

參數(shù)

類型:MOSFET
  最大漏源電壓:60V
  最大連續(xù)漏極電流�45A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�2.5mΩ
  柵極電荷�80nC
  開關(guān)速度:快�
  封裝:TO-247

特�

GA1206A682KBABR31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠顯著降低傳�(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
  2. 快速開�(guān)能力,支持高頻工�,從而減小外部元件體積并�(yōu)化設(shè)�(jì)�
  3. �(yōu)秀的熱性能,允許更高的功率密度和更緊湊的設(shè)�(jì)�
  4. 高可靠性設(shè)�(jì),確保長期穩(wěn)定運(yùn)��
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
  6. �(nèi)置多重保�(hù)功能,增�(qiáng)系統(tǒng)的安全性和魯棒��

�(yīng)�

該型號廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
  2. 工業(yè)�(shè)備中的電�(jī)�(qū)�(dòng)和控制電��
  3. 電動(dòng)汽車及混合動(dòng)力汽車中的電池管理系�(tǒng)�
  4. 大功� LED �(qū)�(dòng)器和照明系統(tǒng)�
  5. 各種�(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
  6. 通信電源和不間斷電源 (UPS) 系統(tǒng)�

替代型號

IRFZ44N
  FDP158N
  STP160NF06L

ga1206a682kbabr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容6800 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-