GA1206Y122JBJBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載切換等�(chǎng)�。該芯片采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具備低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和優(yōu)秀的熱性能,能夠顯著提高系�(tǒng)效率并降低能��
這款器件屬于溝道增強(qiáng)� MOSFET,其�(shè)�(jì)�(yōu)化了�(dòng)�(tài)特性和靜態(tài)特性之間的平衡,非常適合高頻應(yīng)用環(huán)�。此�,該型號(hào)還具有出色的短路耐受能力和抗浪涌能力,能夠在惡劣的工作條件下保持�(wěn)定運(yùn)��
類型:MOSFET
封裝形式:TO-247
VDS(漏源極電壓):1200V
RDS(on)(導(dǎo)通電阻)�0.06Ω
ID(連續(xù)漏電流)�30A
Qg(柵極電荷)�95nC
工作溫度范圍�-55� � +175�
fT(特征頻率)�2.8MHz
GA1206Y122JBJBR31G 的主要特�(diǎn)包括�
1. 極低的導(dǎo)通電� RDS(on),有助于減少傳導(dǎo)損�,提升整體效��
2. 高擊穿電� VDS,確保在高壓�(yīng)用場(chǎng)景下的可靠��
3. 短路保護(hù)功能增強(qiáng)了器件在異常情況下的魯棒��
4. 快速開�(guān)特性使得該芯片適用于高� PWM 控制電路�
5. 寬泛的工作溫度范圍使其適合各種工�(yè)與汽車級(jí)�(yīng)用�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)保,�(wú)鉛設(shè)�(jì)�
7. �(nèi)部集成的保護(hù)�(jī)制可以防止過壓、過流及熱失控等問題�(fā)��
GA1206Y122JBJBR31G 廣泛用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 太陽(yáng)能逆變器和�(chǔ)能系�(tǒng)的功率管理模塊�
3. 工業(yè)�(shè)備中的電�(jī)�(qū)�(dòng)和電磁閥控制�
4. 電動(dòng)汽車 (EV) 和混合動(dòng)力汽� (HEV) 的車載充電器與牽引逆變��
5. 不間斷電� (UPS) 和電池管理系�(tǒng) (BMS)�
6. 高效 LED �(qū)�(dòng)器和固態(tài)照明解決方案�
7. 各種需要高電壓大電流處理能力的電子裝置中作為核心功率開�(guān)元件�
GA1206Y122JBJBR32G, IRFP460, FQA16P120