GA1210Y563MBBAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和開(kāi)�(guān)電路等領(lǐng)�。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高�(kāi)�(guān)速度和出色的熱性能。其�(shè)�(jì)旨在滿足工業(yè)和消�(fèi)電子市場(chǎng)�(duì)高效能和可靠性的需��
型號(hào):GA1210Y563MBBAR31G
類型:N-Channel MOSFET
封裝:TO-247
VDS(漏源電壓)�1200V
RDS(on)(導(dǎo)通電阻)�0.05Ω
ID(連續(xù)漏極電流):56A
功耗:280W
工作溫度范圍�-55� to +175�
GA1210Y563MBBAR31G具有以下�(guān)鍵特性:
1. 低導(dǎo)通電阻設(shè)�(jì)能夠顯著減少傳導(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
2. 高耐壓能力使其適用于高壓應(yīng)用場(chǎng)�,如電動(dòng)汽車充電器和工業(yè)電源�
3. 快速開(kāi)�(guān)特性減少了�(kāi)�(guān)損�,提升了高頻操作下的性能�
4. �(qiáng)大的散熱能力確保在高�(fù)載條件下也能保持�(wěn)定運(yùn)��
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且支持�(wú)鉛焊接工��
該芯片適用于多種�(yīng)用領(lǐng)�,包括但不限于:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS�
2. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)
3. 太陽(yáng)能逆變�
4. 電動(dòng)汽車充電模塊
5. 不間斷電源(UPS)系�(tǒng)
6. LED�(qū)�(dòng)�
其廣泛的適用性得益于其卓越的電氣特性和可靠��
IRFP460, FQA140N120, STP100N120K5