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GA1206A821KBLBT31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/22 16:40:10 查看 閱讀:17

GA1206A821KBLBT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景。該芯片采用了先進(jìn)的溝槽式工藝制造,具備低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn),能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率。
  該型號(hào)屬于增強(qiáng)型 N 溝道 MOSFET,其封裝形式為 TO-252(DPAK),適合表面貼裝技術(shù)(SMT)應(yīng)用。由于其出色的電氣性能和可靠性,這款芯片廣泛用于消費(fèi)電子、工業(yè)控制以及汽車(chē)電子領(lǐng)域。

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流:48A
  導(dǎo)通電阻:1.5mΩ
  柵極電荷:79nC
  開(kāi)關(guān)時(shí)間:ton=28ns, toff=17ns
  工作溫度范圍:-55℃至+175℃

特性

GA1206A821KBLBT31G 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于減少傳導(dǎo)損耗,提高整體效率。
  2. 快速的開(kāi)關(guān)速度,可以支持高頻操作,滿(mǎn)足現(xiàn)代電源設(shè)計(jì)的需求。
  3. 高電流承載能力,適用于大功率應(yīng)用場(chǎng)景。
  4. 強(qiáng)大的熱穩(wěn)定性,能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持性能一致。
  5. 優(yōu)化的 ESD 保護(hù)設(shè)計(jì),增強(qiáng)了器件在實(shí)際使用中的抗靜電能力。
  6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且安全可靠。

應(yīng)用

該芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)
  2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器
  3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)與控制
  4. 工業(yè)逆變器
  5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)
  6. 汽車(chē)電子設(shè)備中的負(fù)載切換
  7. 可再生能源系統(tǒng)中的功率調(diào)節(jié)

替代型號(hào)

IRFZ44N, FDP5800, AOTF14L

ga1206a821kblbt31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容820 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定630V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車(chē)級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類(lèi)型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 長(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引線(xiàn)間距-
  • 引線(xiàn)樣式-