GA1206A821KBLBT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景。該芯片采用了先進(jìn)的溝槽式工藝制造,具備低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn),能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率。
該型號(hào)屬于增強(qiáng)型 N 溝道 MOSFET,其封裝形式為 TO-252(DPAK),適合表面貼裝技術(shù)(SMT)應(yīng)用。由于其出色的電氣性能和可靠性,這款芯片廣泛用于消費(fèi)電子、工業(yè)控制以及汽車(chē)電子領(lǐng)域。
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流:48A
導(dǎo)通電阻:1.5mΩ
柵極電荷:79nC
開(kāi)關(guān)時(shí)間:ton=28ns, toff=17ns
工作溫度范圍:-55℃至+175℃
GA1206A821KBLBT31G 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于減少傳導(dǎo)損耗,提高整體效率。
2. 快速的開(kāi)關(guān)速度,可以支持高頻操作,滿(mǎn)足現(xiàn)代電源設(shè)計(jì)的需求。
3. 高電流承載能力,適用于大功率應(yīng)用場(chǎng)景。
4. 強(qiáng)大的熱穩(wěn)定性,能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持性能一致。
5. 優(yōu)化的 ESD 保護(hù)設(shè)計(jì),增強(qiáng)了器件在實(shí)際使用中的抗靜電能力。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且安全可靠。
該芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)與控制
4. 工業(yè)逆變器
5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)
6. 汽車(chē)電子設(shè)備中的負(fù)載切換
7. 可再生能源系統(tǒng)中的功率調(diào)節(jié)
IRFZ44N, FDP5800, AOTF14L