GJM0335C1HR20WB01D 是一款基于氮化鎵(GaN)技術的高效功率晶體�,適用于高頻和高效率的電源轉換應用場景。該器件采用先進的封裝技�,能夠顯著提高系�(tǒng)性能并減少整體尺�。其卓越的開關特性和低導通電阻使其成為眾多工�(yè)、通信和消費電子應用的理想選擇�
該型號為表面貼裝型器�,適合自動化生產(chǎn),并具有良好的熱性能和電氣性能�
類型:功率晶體管
材料:氮化鎵(GaN�
額定電壓�650V
額定電流�30A
導通電阻:1.8mΩ
開關頻率:最高可� 10MHz
封裝形式:LFPAK8
工作溫度范圍�-55� � +175�
GJM0335C1HR20WB01D 具備以下顯著特點�
1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,有助于降低傳導損耗,提升系統(tǒng)效率�
2. 高速開關能力,支持高達 10MHz 的開關頻�,非常適合高頻應用�
3. 氮化鎵技術提供更高的擊穿電壓和更小的芯片尺寸,從而實�(xiàn)更緊湊的設計�
4. 強大的熱管理性能,保證在高負載下的穩(wěn)定運行�
5. 出色的可靠性和抗電磁干擾能�,適應各種復雜環(huán)��
該器件廣泛應用于以下領域�
1. 開關電源(SMPS�
2. DC-DC 轉換�
3. 電機驅動
4. 太陽能逆變�
5. 電動車充電設�
6. �(shù)�(jù)中心和服務器電源
GaNFET 技術特別適合需要高效率和高頻工作的場景�
GJM0335C1HR20WB02D