GA1206A821JXLBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,采用先�(jìn)的溝槽式制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�。該芯片廣泛�(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載開(kāi)�(guān)等場(chǎng)��
此型�(hào)中的部分字母和數(shù)字代表了其封裝形�、耐壓等級(jí)、導(dǎo)通電阻等具體參數(shù),適合高效率、高頻率的應(yīng)用環(huán)��
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
電壓等級(jí)�650V
�(dǎo)通電阻:82mΩ(典型值)
電流能力�14A(連續(xù)漏極電流�
封裝形式:TO-252(DPAK)
工作溫度范圍�-55� � +175�
柵極電荷�29nC(最大值)
輸入電容�1450pF(典型值)
GA1206A821JXLBR31G 具有以下顯著特點(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少傳導(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 快速開(kāi)�(guān)速度,支持高頻應(yīng)用,降低�(kāi)�(guān)損��
3. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)了器件在異常情況下的可靠性�
4. �(yōu)化的熱性能�(shè)�(jì),確保在高溫�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)行�
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�
6. 小型化封�,節(jié)� PCB 空間,便于緊湊型�(shè)�(jì)�
這款 MOSFET 芯片適用于多種電力電子領(lǐng)�,包括但不限于以下應(yīng)用場(chǎng)景:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS) 的主�(kāi)�(guān)管�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流或降�/升壓電路�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,用于控制直流無(wú)刷電�(jī)或步�(jìn)電機(jī)�
4. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��
6. 太陽(yáng)能逆變器及�(chǔ)能系�(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換部��
GA1206A821JXLBR28G, IRFZ44N, FDP5580NL