日韩欧美国产极速不卡一区,国产手机视频在线观看尤物,国产亚洲欧美日韩蜜芽一区,亚洲精品国产免费,亚洲二区三区无码中文,A大片亚洲AV无码一区二区三区,日韩国语国产无码123

您好,歡迎來(lái)到維�(kù)電子市場(chǎng)�(wǎng) 登錄 | 免費(fèi)注冊(cè)

您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1206A821JXLBR31G

GA1206A821JXLBR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/22 16:39:10 查看 閱讀�19

GA1206A821JXLBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,采用先�(jìn)的溝槽式制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�。該芯片廣泛�(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載開(kāi)�(guān)等場(chǎng)��
  此型�(hào)中的部分字母和數(shù)字代表了其封裝形�、耐壓等級(jí)、導(dǎo)通電阻等具體參數(shù),適合高效率、高頻率的應(yīng)用環(huán)��

參數(shù)

類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  電壓等級(jí)�650V
  �(dǎo)通電阻:82mΩ(典型值)
  電流能力�14A(連續(xù)漏極電流�
  封裝形式:TO-252(DPAK)
  工作溫度范圍�-55� � +175�
  柵極電荷�29nC(最大值)
  輸入電容�1450pF(典型值)

特�

GA1206A821JXLBR31G 具有以下顯著特點(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少傳導(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
  2. 快速開(kāi)�(guān)速度,支持高頻應(yīng)用,降低�(kāi)�(guān)損��
  3. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)了器件在異常情況下的可靠性�
  4. �(yōu)化的熱性能�(shè)�(jì),確保在高溫�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)行�
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�
  6. 小型化封�,節(jié)� PCB 空間,便于緊湊型�(shè)�(jì)�

�(yīng)�

這款 MOSFET 芯片適用于多種電力電子領(lǐng)�,包括但不限于以下應(yīng)用場(chǎng)景:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS) 的主�(kāi)�(guān)管�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流或降�/升壓電路�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,用于控制直流無(wú)刷電�(jī)或步�(jìn)電機(jī)�
  4. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��
  6. 太陽(yáng)能逆變器及�(chǔ)能系�(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換部��

替代型號(hào)

GA1206A821JXLBR28G, IRFZ44N, FDP5580NL

ga1206a821jxlbr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容820 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定630V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-