GA1206A821GXLBT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應用于電源管理、電機驅動和開關電路等領�。該器件采用先進的制造工�,具有低導通電阻和快速開關特�,能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
該芯片屬于溝道增強型 MOSFET,適用于需要高效率和低損耗的電子設備。其封裝形式緊湊,適合高密度設計,并且具備出色的熱性能,確保在高溫�(huán)境下�(wěn)定工作�
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電�(Vdss)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�15A
導通電�(Rds(on))�4.5mΩ(典型值,Vgs=10V�
總柵極電�(Qg)�45nC
輸入電容(Ciss)�1350pF
開關速度:快�
工作溫度范圍�-55� to +175�
GA1206A821GXLBT31G 的主要特性包括:
1. 極低的導通電� (Rds(on)),可顯著減少導通損��
2. 快速的開關速度,有助于降低開關損耗并提升效率�
3. 高電流承載能力,支持高達 15A 的連續(xù)漏極電流�
4. 小型化封裝設�,便� PCB 布局�(yōu)化�
5. 具備強大的熱�(wěn)定�,在極端溫度范圍內表現可��
6. 內置保護機制(如過流保護),提高了整體系�(tǒng)的可靠��
7. 柵極驅動要求�,易于與邏輯電路配合使用�
這款功率 MOSFET 被廣泛用于以下應用場景:
1. 開關電源(SMPS) � DC-DC 轉換器中的主開關��
2. 各類電機驅動電路,例如步進電�、無刷直流電機等�
3. 汽車電子領域,如引擎控制單元、電池管理系�(tǒng)(BMS) ��
4. 工業(yè)自動化設備中的負載切換和保護電路�
5. LED 照明驅動電路以及太陽能逆變器中的功率轉換部分�
IRFZ44N
AO3400
FDP5500