SE10F20B12A是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及電機(jī)�(qū)動等場景。該器件采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高系�(tǒng)的效率和可靠��
SE10F20B12A屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET,適合在中高電壓條件下工�,其�(shè)�(jì)旨在�(yōu)化功耗和熱性能,使其適用于各種工業(yè)和消�(fèi)類電子產(chǎn)品�
型號:SE10F20B12A
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電�(Vds)�650V
最大柵源電�(Vgs):�20V
持續(xù)漏極電流(Id)�10A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�0.18Ω
總柵極電�(Qg)�45nC
輸入電容(Ciss)�1250pF
開關(guān)�(shí)間:ton=35ns, toff=25ns
工作溫度范圍�-55°C�+150°C
SE10F20B12A的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),有助于減少傳導(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 高擊穿電壓(650V�,確保在高壓�(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)��
3. 快速開�(guān)能力,支持高頻應(yīng)�,降低開�(guān)損耗�
4. �(qiáng)化的熱性能�(shè)�(jì),能夠在高負(fù)載條件下保持較低的工作溫��
5. 良好的靜電防�(hù)能力(ESD保護(hù)�,提高了器件的可靠性和抗干擾能力�
6. 小型化封�,便于PCB布局和節(jié)省空��
SE10F20B12A廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開關(guān)�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的主開�(guān)管或同步整流��
3. 電機(jī)�(qū)動電路中的功率級控制�
4. UPS不間斷電源系�(tǒng)中的逆變電路�
5. 各種工業(yè)�(shè)備和家用電器中的�(fù)載切換和保護(hù)功能�
6. LED照明�(qū)動電路中的關(guān)鍵功率元件�
IRFZ44N
FDP55N10
STP10NK65Z