GA1206A820JBEBT31G 是一款高性能的功率MOSFET器件,主要用于高頻開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和DC-DC轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用。該芯片采用先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度的特點(diǎn),能夠顯著提高系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。
這款功率MOSFET屬于N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管,其設(shè)計(jì)優(yōu)化了在高電流和高頻工作條件下的性能表現(xiàn)。此外,它還具備出色的熱穩(wěn)定性和抗浪涌能力,適用于工業(yè)級(jí)和消費(fèi)級(jí)電子設(shè)備。
型號(hào):GA1206A820JBEBT31G
類型:N溝道功率MOSFET
封裝形式:TO-247
Vds(漏源極電壓):820V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻):0.15Ω
Id(連續(xù)漏極電流):12A
fsw(最大開關(guān)頻率):100kHz
結(jié)溫范圍:-55℃ to +150℃
功耗:200W
GA1206A820JBEBT31G 的主要特性包括:
1. 高耐壓能力:Vds高達(dá)820V,可滿足高壓應(yīng)用需求。
2. 低導(dǎo)通電阻:Rds(on)僅為0.15Ω,在大電流條件下減少功率損耗。
3. 快速開關(guān)性能:支持高達(dá)100kHz的開關(guān)頻率,適合高頻電路。
4. 出色的熱性能:通過優(yōu)化封裝設(shè)計(jì),提高了散熱效率,保證長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行。
5. 抗浪涌能力強(qiáng):能夠在惡劣環(huán)境下保持穩(wěn)定工作,避免因瞬時(shí)電壓尖峰引起的損壞。
6. 寬溫度范圍:支持從-55℃到+150℃的工作環(huán)境,適應(yīng)各種氣候條件。
GA1206A820JBEBT31G 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS):用于AC-DC和DC-DC轉(zhuǎn)換器中,提供高效的電能轉(zhuǎn)換。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng):控制直流無(wú)刷電機(jī)或步進(jìn)電機(jī)的速度和方向。
3. 工業(yè)自動(dòng)化:在工廠自動(dòng)化系統(tǒng)中作為功率開關(guān)元件。
4. 汽車電子:用于汽車電子控制系統(tǒng)中的負(fù)載切換。
5. 能量存儲(chǔ)系統(tǒng):如太陽(yáng)能逆變器和電池管理系統(tǒng)中的功率管理。
6. LED照明:為高功率LED燈具提供穩(wěn)定的電流驅(qū)動(dòng)。
GA1206A820JBE, IRFP460, STP12NM80E