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XN0431400L 發(fā)布時間 時間�2023/10/27 17:17:35 查看 閱讀�151

類別:分離式半導體產(chǎn)�

目錄

概述

類別:分離式半導體產(chǎn)�
家庭:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓�
晶體管類型:1 � NPN�1 � PNP - 預偏壓式(雙�
電流 - 集電� (Ic)(最大)�100mA
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)�50V
電阻� - 基極 (R1)(歐):10K
電阻� - �(fā)射極 (R2)(歐):47K
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增� (hFE)�80 @ 5mA, 10V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)�250mV @ 300μA, 10mA
電流 - 集電極截止(最大)�500nA
頻率 - �(zhuǎn)換:150MHz, 80MHz
功率 - 最大:300mW
安裝類型:表面貼�
封裝/外殼:迷你型 6P
包裝:帶� (TR)

xn0431400l推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
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xn0431400l參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表XN0431400L View all Specifications
  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭晶體�(BJT) - 陣列﹐預偏壓�
  • 系列-
  • 晶體管類�1 � NPN�1 � PNP - 預偏壓式(雙�
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)100mA
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)50V
  • 電阻� - 基極 (R1)(歐�10k
  • 電阻� - �(fā)射極 (R2)(歐�47k
  • 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增� (hFE)80 @ 5mA�10V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)250mV @ 300µA�10mA
  • 電流 - 集電極截止(最大)500nA
  • 頻率 - �(zhuǎn)�150MHz�80MHz
  • 功率 - 最�300mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼SOT-23-6
  • 供應商設備封�MINI6-G1
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱XN0431400LTRXN4314-(TX)XN4314-TXXN4314TRXN4314TR-ND