GA1206A6R8CBCBT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,專為高頻開�(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì)。該芯片采用先�(jìn)的溝槽式 MOSFET 技�(shù)制�,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的開�(guān)速度。其封裝形式適合表面貼裝技�(shù) (SMT),適用于高密度電路板�(shè)�(jì)�
該器件廣泛應(yīng)用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載切換等�(chǎng)�,能夠顯著提高系�(tǒng)的效率和可靠��
類型:MOSFET
�(dǎo)通電阻(典型值)�6 mΩ
最大漏源電壓:60 V
最大連續(xù)漏極電流�45 A
柵極電荷�27 nC
開關(guān)頻率:高�(dá) 1 MHz
封裝:TO-252(DPAK)
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
GA1206A6R8CBCBT31G 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,可有效降低功率損��
2. 高速開�(guān)性能,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)合�
3. 較高的漏源電壓耐受能力,增�(qiáng)了器件在�(fù)雜電路中的適�(yīng)��
4. �(nèi)� ESD 保護(hù)功能,提高了器件的抗靜電能力�
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全可靠�
6. 支持高電流操作,適用于大功率�(shè)��
該芯片主要應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中作為功率開�(guān)�
2. 電動(dòng)工具及家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)控制�
3. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載切換與保護(hù)�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的信�(hào)放大和功率轉(zhuǎn)��
5. LED 照明�(qū)�(dòng)電路中的高效能量管理�
6. 各類便攜式設(shè)備中的電池充電管理模��
IRFZ44N, SI4849DY, FDP5560