GA1206A5R6DXCBC31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,屬于溝槽型 MOSFET 系列。該芯片采用先�(jìn)的制造工藝,具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開(kāi)�(guān)速度,適用于高頻�(kāi)�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用場(chǎng)景。其封裝形式為表面貼裝類�,便于自�(dòng)化生�(chǎn)和高密度電路板設(shè)�(jì)�
這款芯片以其�(yōu)異的電氣性能和可靠�,在工業(yè)控制、消�(fèi)電子以及通信�(shè)備中得到廣泛�(yīng)��
型號(hào):GA1206A5R6DXCBC31G
類型:N溝道 MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�12A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�5.6mΩ(典型�,Vgs=10V�
功�(PD)�140W
總電�(Ciss)�1380pF
輸入電容(Ciss)�930pF
輸出電容(Coss)�290pF
反向恢復(fù)�(shí)�(trr)�75ns
工作溫度范圍�-55� � +175�
GA1206A5R6DXCBC31G 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電�,能夠有效降低傳�(dǎo)損耗,提高系統(tǒng)效率�
2. 快速的�(kāi)�(guān)速度,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)��
3. 高度�(wěn)定的�(dòng)�(tài)性能,即使在惡劣�(huán)境下也能保持可靠�(yùn)��
4. 小尺寸封裝設(shè)�(jì),節(jié)省PCB空間,有助于�(shí)�(xiàn)緊湊型電路設(shè)�(jì)�
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�
6. 出色的熱性能,支持更高的功率密度和更�(zhǎng)的產(chǎn)品壽命�
7. �(nèi)置靜電保�(hù)功能,增�(qiáng)芯片的抗干擾能力�
該芯片主要應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS),如適配�、充電器��
2. 各類 DC-DC �(zhuǎn)換器,用于電壓調(diào)節(jié)和電源管��
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,用于控制小型直流電�(jī)或步�(jìn)電機(jī)�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換模��
5. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路�
6. LED �(qū)�(dòng)器,提供高效�(wěn)定的電流輸出�
7. 通信�(shè)備中的功率放大器和信�(hào)�(diào)節(jié)電路�
GA1206A5R6DXCBT31G, IRFZ44N, FDP5500