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XPD2060C 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/30 16:47:02 查看 閱讀：5

XPD2060C是一款高性能的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN33-8L封裝形式。該器件具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)特性，適用于各種電源管理應(yīng)用，包括DC-DC轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)關(guān)、同步整流以及電池供電設(shè)備中的開(kāi)關(guān)功能。
　　這款MOSFET以其出色的熱性能和電氣特性著稱，能夠在高電流條件下提供高效的開(kāi)關(guān)操作，同時(shí)保持較低的功耗。其設(shè)計(jì)旨在優(yōu)化空間受限的應(yīng)用場(chǎng)合，同時(shí)確保高性能和可靠性。

參數(shù)

最大漏源電壓：60V
　　連續(xù)漏極電流：4.7A
　　導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：15mΩ（典型值，@Vgs=4.5V）
　　柵極電荷：1.9nC
　　輸入電容：133pF
　　總功耗：1.1W
　　工作結(jié)溫范圍：-55℃至+150℃

特性

XPD2060C具有以下關(guān)鍵特性：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻，能夠有效減少傳導(dǎo)損耗。
　　2. 高速開(kāi)關(guān)性能，支持高頻操作，有助于提升系統(tǒng)效率。
　　3. 超小型PDFN33-8L封裝，節(jié)省PCB空間。
　　4. 較寬的工作電壓范圍，適應(yīng)多種電源應(yīng)用需求。
　　5. 出色的熱穩(wěn)定性和可靠性，適合長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行。
　　6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保無(wú)鉛設(shè)計(jì)。

應(yīng)用

XPD2060C廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 移動(dòng)設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)關(guān)。
　　2. 各類(lèi)便攜式電子產(chǎn)品的電源管理。
　　3. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的同步整流開(kāi)關(guān)。
　　4. 消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品中的電池保護(hù)電路。
　　5. 通信設(shè)備中的高效電源切換。
　　6. 工業(yè)控制中的小型化功率轉(zhuǎn)換模塊。

替代型號(hào)

XPD2060C的替代型號(hào)包括：XPD2060、IRF7843、AO3400