GA1206A5R6CXABP31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和開(kāi)�(guān)電路等領(lǐng)�。該芯片具有低導(dǎo)通電�、高�(kāi)�(guān)速度和良好的熱性能等特�,適用于需要高效能和穩(wěn)定性的電子�(shè)��
該型�(hào)具體屬于 N 溝道增強(qiáng)� MOSFET,采用先�(jìn)的制造工藝以�(yōu)化其在高頻和大電流環(huán)境下的表�(xiàn)。其封裝形式為行�(yè)�(biāo)�(zhǔn)類型,便于安裝與集成到各� PCB 板設(shè)�(jì)��
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
持續(xù)漏極電流�40A
�(dǎo)通電阻(典型值)�4.5mΩ
總功耗:280W
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:TO-247
GA1206A5R6CXABP31G 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),能夠在高電流條件下顯著減少功率損�,提升整體效率�
2. 高速開(kāi)�(guān)能力,支持高� PWM �(yīng)用場(chǎng)景,適合�(fù)雜的電源�(zhuǎn)換系�(tǒng)�
3. 出色的熱�(wěn)定性,即使在高溫環(huán)境下也能保持可靠的性能�
4. �(nèi)� ESD 保護(hù)功能,提高器件對(duì)靜電放電的耐受能力�
5. 小尺寸封裝,易于集成到緊湊型�(shè)�(jì)��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)�(jì)�
這款功率 MOSFET 廣泛用于多種工業(yè)和消�(fèi)類電子產(chǎn)品中,具體應(yīng)用包括但不限于:
1. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的主開(kāi)�(guān)元件�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,例如步�(jìn)電機(jī)、無(wú)刷直流電�(jī) (BLDC) 控制�
3. 電池管理系統(tǒng) (BMS),用于充放電控制和保�(hù)�
4. 太陽(yáng)能逆變器中的功率調(diào)節(jié)模塊�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換和保護(hù)電路�
6. LED �(qū)�(dòng)電路,提供精確的電流控制�
GA1206A5R6CXABP32G, IRFZ44N, FDP5500