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時(shí)間：2025/5/20 12:33:36
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GA1206A6R8BBEBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，屬于溝道型 MOSFET 系列。該芯片采用先進(jìn)的制造工藝，具備低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點(diǎn)，適用于各種需要高效能功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用場(chǎng)景。
該型號(hào)中的具體參數(shù)定義如下：GA 表示產(chǎn)品系列，1206 表示封裝類型，A6R8 表示導(dǎo)通電阻值為 6.8 毫歐，B 表示第三代制程技術(shù)，BE 表示特定的耐壓等級(jí)（例如 60V），BR 表示增強(qiáng)散熱設(shè)計(jì)，31G 表示批次或生產(chǎn)標(biāo)記。
導(dǎo)通電阻：6.8毫歐@25°C
最大漏源電壓：60V
連續(xù)漏極電流：120A
柵極電荷：45nC
反向恢復(fù)時(shí)間：25ns
工作溫度范圍：-55°C至175°C
封裝形式：TO-263
GA1206A6R8BBEBR31G 具有非常低的導(dǎo)通電阻，能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率。其高電流承載能力和快速開關(guān)性能使其非常適合用于高頻開關(guān)應(yīng)用。
此外，這款芯片還采用了增強(qiáng)散熱設(shè)計(jì)，可以更好地將熱量散發(fā)出去，從而提升整體可靠性。同時(shí)，它在高溫環(huán)境下的穩(wěn)定性也得到了優(yōu)化，能夠在極端條件下保持出色的性能。
這款器件還具備較低的柵極電荷，有助于減少驅(qū)動(dòng)損耗，并且其短路耐受能力較強(qiáng)，可以適應(yīng)復(fù)雜的實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景。
GA1206A6R8BBEBR31G 廣泛應(yīng)用于電源管理領(lǐng)域，包括但不限于以下場(chǎng)景：
1. 開關(guān)模式電源 (SMPS) 中的功率級(jí)元件。
2. 電動(dòng)車輛 (EV) 和混合動(dòng)力車輛 (HEV) 的電機(jī)控制器。
3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
4. 太陽能逆變器中的功率轉(zhuǎn)換模塊。
5. 高效 LED 驅(qū)動(dòng)電路中的開關(guān)元件。
6. 各種消費(fèi)類電子產(chǎn)品的適配器和充電器。
GA1206A6R8BBEBR21G, GA1206A6R8BBEBR41G
