GA1206A5R6CBBBR31G 是一款高性能的 MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),主要用于開關(guān)和放大應(yīng)用。該型號屬于溝道型 MOSFET,具有低導(dǎo)通電阻、高效率和快速開關(guān)速度的特點,適合應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動和逆變器等領(lǐng)域。
其封裝形式為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 TO-247 或 DPAK 封裝(具體以廠商提供為準(zhǔn)),能夠承受較高的電流和電壓,同時具備出色的散熱性能。
類型:MOSFET
極性:N-Channel
漏源極耐壓(Vds):120V
連續(xù)漏極電流(Id):65A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):5.6mΩ
柵極電荷(Qg):80nC
功耗(Ptot):210W
工作溫度范圍:-55℃ to 175℃
GA1206A5R6CBBBR31G 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)),可以有效減少功率損耗,提升系統(tǒng)效率。
2. 高額定電流和電壓能力,使其適用于高壓和大電流場景。
3. 快速的開關(guān)速度和低柵極電荷,有助于降低開關(guān)損耗。
4. 強大的散熱設(shè)計,確保在高溫環(huán)境下的穩(wěn)定運行。
5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且可靠性高。
6. 提供卓越的 ESD 和雪崩保護(hù)功能,增強器件的耐用性。
該芯片主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中的主開關(guān)元件。
2. 工業(yè)電機(jī)控制及驅(qū)動中的功率級組件。
3. 太陽能逆變器和不間斷電源 (UPS) 系統(tǒng)。
4. 高效 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
5. 電動汽車和混合動力汽車中的電池管理系統(tǒng)。
6. 各類需要高效功率轉(zhuǎn)換和開關(guān)的應(yīng)用場景。
GA1206A5R6CBBBR30G
IRFP260N
FDP17N12Z