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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1206A560JBCBR31G

GA1206A560JBCBR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/23 10:25:16 查看 閱讀�16

GA1206A560JBCBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載開(kāi)�(guān)等應(yīng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高系�(tǒng)效率并降低功��
  該芯片屬于溝道增�(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體�,通過(guò)柵極電壓控制漏極與源極之間的電流流動(dòng)。其出色的電氣性能使其在各種工�(yè)和消�(fèi)�(lèi)電子�(shè)備中得到廣泛�(yīng)��

參數(shù)

型號(hào):GA1206A560JBCBR31G
  �(lèi)型:N-Channel MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�60V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�56A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�1.2mΩ (典型值,� Vgs=10V �(shí))
  總柵極電�(Qg)�75nC
  �(kāi)�(guān)速度:快速開(kāi)�(guān)
  封裝形式:TO-247-3

特�

GA1206A560JBCBR31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),可有效減少傳導(dǎo)損耗,提升整體效率�
  2. 高電流承載能力(高達(dá) 56A�,適用于大功率應(yīng)用場(chǎng)��
  3. 快速開(kāi)�(guān)性能,支持高頻操�,降低開(kāi)�(guān)損��
  4. 具備�(yōu)異的熱穩(wěn)定性,能夠在高溫環(huán)境下�(zhǎng)期可靠運(yùn)��
  5. �(nèi)� ESD 保護(hù)�(jī)�,提高了芯片�(duì)靜電放電的耐受能力�
  6. 封裝�(jiān)固耐用,便于散熱設(shè)�(jì)和安��
  這些特性使� GA1206A560JBCBR31G 成為高效功率�(zhuǎn)換的理想選擇�

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的主開(kāi)�(guān)管或同步整流��
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)元件,用于實(shí)�(xiàn) PWM 控制�
  3. 電池管理系統(tǒng)(BMS) 中的�(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路�
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電磁閥和繼電器�(qū)�(dòng)�
  5. 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的大電流負(fù)載控��
  由于其強(qiáng)大的性能和可靠性,GA1206A560JBCBR31G 在各�(lèi)功率處理�(chǎng)景中表現(xiàn)出色�

替代型號(hào)

GA1206A560JBCBR32G, IRF540N, FQP50N06L

ga1206a560jbcbr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • 電容56 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定200V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車(chē)�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-