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時(shí)間：2025/5/22 15:48:28
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GA0805H222MBBBT31G 是一款高性能的功率 MOSFET，主要用于開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用。該器件采用先進(jìn)的工藝制造，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，能夠顯著提高效率并減少發(fā)熱。
該型號(hào)屬于溝道增強(qiáng)型 MOSFET，適用于高頻率工作環(huán)境下的電力電子設(shè)備，支持大電流負(fù)載操作，同時(shí)具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠性。
類型：MOSFET
極性：N-Channel
最大漏源電壓(Vdss)：80V
最大連續(xù)漏極電流(Id)：50A
導(dǎo)通電阻(Rds(on))：2.2mΩ
柵極電荷(Qg)：45nC
總電容(Ciss)：2200pF
功耗(PD)：160W
封裝形式：TO-247
工作溫度范圍：-55°C to 175°C
GA0805H222MBBBT31G 的主要特點(diǎn)是其超低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on))，僅為 2.2mΩ，這使其在高電流應(yīng)用場景中表現(xiàn)出色。此外，它的柵極電荷較低，有助于實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)速度，并減少開關(guān)損耗。器件的高耐壓能力 (80V) 和強(qiáng)大的電流承載能力 (50A) 使得它適合于工業(yè)級(jí)和汽車級(jí)應(yīng)用。該芯片還擁有寬泛的工作溫度范圍 (-55°C 至 175°C)，進(jìn)一步提升了其在極端條件下的適應(yīng)性。
此款 MOSFET 還采用了 TO-247 封裝，便于散熱管理，從而提高了整體系統(tǒng)的穩(wěn)定性與可靠性。
這款功率 MOSFET 廣泛應(yīng)用于各種需要高效能量轉(zhuǎn)換和控制的場合，包括但不限于以下領(lǐng)域：
- 開關(guān)電源（SMPS）
- DC-DC 轉(zhuǎn)換器
- 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
- 工業(yè)逆變器
- 太陽能微逆變器
- 電動(dòng)車充電系統(tǒng)
- 高效 LED 驅(qū)動(dòng)電路
由于其出色的性能表現(xiàn)，GA0805H222MBBBT31G 成為設(shè)計(jì)工程師在開發(fā)高效率、高功率密度產(chǎn)品的首選元器件之一。
GA0805H222MBBCT31G
IRFP2907
FDP057N06L
