GA1206A3R9CBBBR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動和負載開關(guān)等應�。該器件采用先進的制造工藝,具備低導通電阻和高開�(guān)速度的特�,能夠顯著提高系�(tǒng)的效率和可靠��
該芯片屬于N溝道增強型MOSFET,具有出色的熱性能和電氣特�,適用于需要高效能和小尺寸解決方案的設(shè)計場��
型號:GA1206A3R9CBBBR31G
類型:N溝道MOSFET
工作電壓�12V
最大漏源極電壓(Vds)�12V
最大柵源極電壓(Vgs):�20V
最大漏極電�(Id)�60A
導通電�(Rds(on))�3mΩ(典型�,Vgs=10V時)
功�(Pd)�140W
封裝形式:TO-247-3
工作溫度范圍�-55℃至+175�
GA1206A3R9CBBBR31G具備以下主要特性:
1. 極低的導通電�,有助于減少傳導損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高開�(guān)速度,支持高頻操作,適合�(xiàn)代高效能電源�(shè)��
3. �(yōu)化的熱阻抗設(shè)計,確保在高電流應用場景下的�(wěn)定運��
4. 強大的短路耐受能力,提高了系統(tǒng)的可靠性和安全性�
5. 符合RoHS標準,環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
此外,該器件還具有良好的電磁兼容�,可減少對外部電路的干擾�
GA1206A3R9CBBBR31G廣泛應用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開關(guān)元件�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的主開�(guān)或同步整流元��
3. 電機�(qū)動電路中的功率輸出級控制�
4. 各類負載開關(guān)及保護電��
5. 工業(yè)�(shè)備中的大電流開關(guān)應用�
6. 電動汽車和混合動力汽車的動力管理系統(tǒng)�
這款器件憑借其�(yōu)異的性能,成為許多高要求應用的理想選��
IRFZ44N
STP55NF06
FDP55N06L