GA1206A330JBABT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC �(zhuǎn)換器等應(yīng)用。該芯片采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,能夠顯著提升系�(tǒng)的效率和可靠��
這款功率 MOSFET 屬于 N 溝道增強(qiáng)型器件,其封裝形式為行業(yè)�(biāo)�(zhǔn)封裝,適合表面貼裝技�(shù)(SMT�,從而簡化了生產(chǎn)流程并提高了組裝的靈活��
類型:N溝道增強(qiáng)� MOSFET
最大漏源電壓(Vds):60V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):330A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.5mΩ
柵極電荷(Qg):98nC
輸入電容(Ciss):4070pF
輸出電容(Coss):115pF
反向傳輸電容(Crss):155pF
開關(guān)�(shí)間:ton=17ns, toff=45ns
工作溫度范圍�-55� � +175�
GA1206A330JBABT31G 的主要特�(diǎn)是低�(dǎo)通電阻(Rds(on)�,這使其在高電流應(yīng)用中表現(xiàn)出色,可以有效減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
此外,該芯片具有快速的開關(guān)性能,適用于高頻開關(guān)電路,例如開�(guān)電源� DC-DC �(zhuǎn)換器�
由于采用了堅(jiān)固的封裝�(shè)�(jì),此功率 MOSFET 能夠承受較高的瞬�(tài)電壓和電流沖�,從而增�(qiáng)了器件的可靠性和使用壽命�
該芯片還具備較低的寄生電�,有助于減少開關(guān)噪聲,并改善電磁兼容性(EMC)表�(xiàn)�
同時(shí),它的寬工作溫度范圍使其非常適合惡劣�(huán)境下的工�(yè)和汽車應(yīng)用�
GA1206A330JBABT31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和控�
3. DC-DC �(zhuǎn)換器
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)�
6. 電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車中的功率轉(zhuǎn)�
7. 太陽能逆變�
8. LED �(qū)�(dòng)電路
其高電流處理能力和快速開�(guān)特性使得它成為許多大功率電子系�(tǒng)的關(guān)鍵組��
GA1206A330JBABT32G, IRF3205, FDP16N60