GA1206A330FBEBT31G 是一款高性能� MOSFET 功率晶體管,專為開關(guān)和功率放大應(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的制造工�,在高頻和高電流條件下表�(xiàn)出優(yōu)異的性能,適用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及電信�(shè)備等�(lǐng)��
其封裝形式為 TO-263(D2PAK),具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的電流承載能�,同�(shí)具備良好的熱性能�
型號(hào):GA1206A330FBEBT31G
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電壓(Vds):60V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):33A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型�,Vgs=10V�(shí)�
功耗:175W
工作溫度范圍�-55℃至+175�
封裝形式:TO-263(D2PAK�
GA1206A330FBEBT31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),在高電流�(yīng)用中減少功率損耗并提高效率�
2. 高速開�(guān)性能,適合高頻應(yīng)用環(huán)��
3. 良好的熱�(wěn)定性,能夠在寬溫度范圍�(nèi)可靠�(yùn)��
4. 高擊穿電壓(Vds�,確保在高壓條件下的安全��
5. 具備短路保護(hù)功能,延長器件壽��
6. 采用無鉛�(huán)保材�,符� RoHS �(biāo)�(zhǔn)�
這些特性使� GA1206A330FBEBT31G 成為多種工業(yè)和消�(fèi)類電子產(chǎn)品的理想選擇�
該型�(hào)廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流器和控制器�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,用于控制直流或無刷電機(jī)�
3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換模��
4. 電信基礎(chǔ)�(shè)施中的負(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
5. 電池管理系統(tǒng)(BMS),�(shí)�(xiàn)高效的充電和放電控制�
6. LED 照明�(qū)�(dòng)�,提供穩(wěn)定可靠的電流輸出�
由于其卓越的性能和可靠性,這款 MOSFET 在各種需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用中備受青睞�
IRF3205, SI4860DP, FDMQ8203