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GA0603Y563JBXAR31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/21 19:56:55 查看 閱讀:17

GA0603Y563JBXAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,采用先進(jìn)的制造工藝以實(shí)現(xiàn)高效率和低導(dǎo)通電阻。該芯片廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景中,能夠承受較高的電壓和電流負(fù)載,同時(shí)具備快速的開關(guān)速度和較低的開關(guān)損耗。
  該芯片屬于增強(qiáng)型 N 溝道 MOSFET,其設(shè)計(jì)優(yōu)化了熱性能和電氣特性,適合在高溫環(huán)境下長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行。通過其優(yōu)異的 Rds(on) 特性和柵極電荷參數(shù),可以顯著提高系統(tǒng)的整體能效。

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流:30A
  導(dǎo)通電阻:3.5mΩ
  柵極電荷:70nC
  總電容:280pF
  工作溫度范圍:-55℃ 至 175℃
  封裝形式:TO-247

特性

1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)),能夠有效降低傳導(dǎo)損耗。
  2. 快速開關(guān)能力,支持高頻應(yīng)用,減少開關(guān)損耗。
  3. 高耐壓設(shè)計(jì),可承受高達(dá) 60V 的漏源電壓。
  4. 大電流承載能力,支持最高 30A 的連續(xù)漏極電流。
  5. 具備出色的熱穩(wěn)定性,在極端溫度范圍內(nèi)表現(xiàn)可靠。
  6. 封裝為 TO-247,便于散熱并適合工業(yè)級(jí)應(yīng)用環(huán)境。
  7. 柵極驅(qū)動(dòng)要求低,簡(jiǎn)化了驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)。

應(yīng)用

1. 開關(guān)電源 (SMPS) 和 AC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)。
  2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器的核心組件,用于高效能量轉(zhuǎn)換。
  3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制領(lǐng)域,例如電動(dòng)車、家用電器。
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換和保護(hù)。
  5. 充電器和適配器中的功率管理單元。
  6. 高效逆變器和 UPS 系統(tǒng)中的關(guān)鍵元件。

替代型號(hào)

GA0603Y563JAXAR31G, IRFZ44N, FDP55N06L

ga0603y563jbxar31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容0.056 μF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定25V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 長(zhǎng) x 0.031" 寬(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"(0.97mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-