GA0603Y563JBXAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,采用先進(jìn)的制造工藝以實(shí)現(xiàn)高效率和低導(dǎo)通電阻。該芯片廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景中,能夠承受較高的電壓和電流負(fù)載,同時(shí)具備快速的開關(guān)速度和較低的開關(guān)損耗。
該芯片屬于增強(qiáng)型 N 溝道 MOSFET,其設(shè)計(jì)優(yōu)化了熱性能和電氣特性,適合在高溫環(huán)境下長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行。通過其優(yōu)異的 Rds(on) 特性和柵極電荷參數(shù),可以顯著提高系統(tǒng)的整體能效。
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流:30A
導(dǎo)通電阻:3.5mΩ
柵極電荷:70nC
總電容:280pF
工作溫度范圍:-55℃ 至 175℃
封裝形式:TO-247
1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)),能夠有效降低傳導(dǎo)損耗。
2. 快速開關(guān)能力,支持高頻應(yīng)用,減少開關(guān)損耗。
3. 高耐壓設(shè)計(jì),可承受高達(dá) 60V 的漏源電壓。
4. 大電流承載能力,支持最高 30A 的連續(xù)漏極電流。
5. 具備出色的熱穩(wěn)定性,在極端溫度范圍內(nèi)表現(xiàn)可靠。
6. 封裝為 TO-247,便于散熱并適合工業(yè)級(jí)應(yīng)用環(huán)境。
7. 柵極驅(qū)動(dòng)要求低,簡(jiǎn)化了驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)。
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 和 AC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器的核心組件,用于高效能量轉(zhuǎn)換。
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制領(lǐng)域,例如電動(dòng)車、家用電器。
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換和保護(hù)。
5. 充電器和適配器中的功率管理單元。
6. 高效逆變器和 UPS 系統(tǒng)中的關(guān)鍵元件。
GA0603Y563JAXAR31G, IRFZ44N, FDP55N06L