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GA1206A2R7BXEBP31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/12 19:04:22 查看 閱讀�18

GA1206A2R7BXEBP31G 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效率功率晶體�,專為高頻開�(guān)�(yīng)用而設(shè)�。該器件采用了先進的增強� GaN HEMT 技�(shù),具有低�(dǎo)通電�、快速開�(guān)速度和高擊穿電壓等特�,廣泛應(yīng)用于電源�(zhuǎn)換、電機驅(qū)動以及射頻放大等�(lǐng)��
  其封裝形式為超小型芯片級封裝,能夠有效降低寄生電感和寄生電容,從而提高整體系�(tǒng)的性能�

參數(shù)

最大漏源電壓:650V
  �(dǎo)通電阻:27mΩ
  柵極電荷�45nC
  輸出電容�980pF
  連續(xù)漏極電流�12A
  脈沖漏極電流�76A
  工作溫度范圍�-55� � 150�
  封裝形式:GA1206A2R7BXEBP31G專用封裝

特�

該型號具備以下顯著特點:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),可減少傳�(dǎo)損耗并提升系統(tǒng)效率�
  2. 快速開�(guān)速度,支持高達數(shù)兆赫茲的工作頻率,適用于高頻DC-DC�(zhuǎn)換器�
  3. 高度�(wěn)定的動態(tài)特�,即使在極端�(fù)載條件下也能維持出色的性能�
  4. �(nèi)置過溫保護與短路保護功能,確保長期使用的可靠性�
  5. 小尺寸封裝有助于簡化PCB布局,并實現(xiàn)更高的功率密��
  6. 兼容�(biāo)�(zhǔn)硅MOSFET�(qū)動電路,無需額外增加�(fù)雜驅(qū)動設(shè)��
  7. 能夠承受瞬態(tài)高壓沖擊,增強了器件的魯棒性�

�(yīng)�

GA1206A2R7BXEBP31G 主要�(yīng)用于以下幾個領(lǐng)域:
  1. 高效DC-DC�(zhuǎn)換器和功率因�(shù)校正(PFC)電��
  2. 太陽能逆變器及儲能系統(tǒng)的功率管理模��
  3. �(shù)�(jù)中心服務(wù)器電源、電信設(shè)備電源等高性能電源解決方案�
  4. 電動車充電基�(chǔ)�(shè)施中的高頻充電器�
  5. 射頻功率放大器和其他需要高�、高效率工作的電子設(shè)��
  6. 各類工業(yè)自動化設(shè)備中的高速開�(guān)組件�

替代型號

GA1206A2R7BZECP31G
  GA1206A2R7CXEAP31G
  GA1206A2R7BXEBP32G

ga1206a2r7bxebp31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • 電容2.7 pF
  • 容差±0.1pF
  • 電壓 - 額定500V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-