GA1206A2R7BXEBP31G 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效率功率晶體�,專為高頻開�(guān)�(yīng)用而設(shè)�。該器件采用了先進的增強� GaN HEMT 技�(shù),具有低�(dǎo)通電�、快速開�(guān)速度和高擊穿電壓等特�,廣泛應(yīng)用于電源�(zhuǎn)換、電機驅(qū)動以及射頻放大等�(lǐng)��
其封裝形式為超小型芯片級封裝,能夠有效降低寄生電感和寄生電容,從而提高整體系�(tǒng)的性能�
最大漏源電壓:650V
�(dǎo)通電阻:27mΩ
柵極電荷�45nC
輸出電容�980pF
連續(xù)漏極電流�12A
脈沖漏極電流�76A
工作溫度范圍�-55� � 150�
封裝形式:GA1206A2R7BXEBP31G專用封裝
該型號具備以下顯著特點:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),可減少傳�(dǎo)損耗并提升系統(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)速度,支持高達數(shù)兆赫茲的工作頻率,適用于高頻DC-DC�(zhuǎn)換器�
3. 高度�(wěn)定的動態(tài)特�,即使在極端�(fù)載條件下也能維持出色的性能�
4. �(nèi)置過溫保護與短路保護功能,確保長期使用的可靠性�
5. 小尺寸封裝有助于簡化PCB布局,并實現(xiàn)更高的功率密��
6. 兼容�(biāo)�(zhǔn)硅MOSFET�(qū)動電路,無需額外增加�(fù)雜驅(qū)動設(shè)��
7. 能夠承受瞬態(tài)高壓沖擊,增強了器件的魯棒性�
GA1206A2R7BXEBP31G 主要�(yīng)用于以下幾個領(lǐng)域:
1. 高效DC-DC�(zhuǎn)換器和功率因�(shù)校正(PFC)電��
2. 太陽能逆變器及儲能系統(tǒng)的功率管理模��
3. �(shù)�(jù)中心服務(wù)器電源、電信設(shè)備電源等高性能電源解決方案�
4. 電動車充電基�(chǔ)�(shè)施中的高頻充電器�
5. 射頻功率放大器和其他需要高�、高效率工作的電子設(shè)��
6. 各類工業(yè)自動化設(shè)備中的高速開�(guān)組件�
GA1206A2R7BZECP31G
GA1206A2R7CXEAP31G
GA1206A2R7BXEBP32G