GA1206A2R2DXBBC31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,屬于溝道增�(qiáng)型場效應(yīng)晶體�。該型號主要�(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)動等�(lǐng)�,能夠提供高效的電流切換和較低的�(dǎo)通電�。其采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝,具有良好的耐熱性和�(wěn)定�,適用于高頻率和高效率的電力電子�(yīng)��
該器件封裝形式為SOT-223,能夠在高溫�(huán)境下保持�(wěn)定的性能表現(xiàn),同�(shí)具備低反向恢�(fù)電荷特性,有助于減少開�(guān)損��
類型:N溝道 MOSFET
最大漏源電壓Vds�60V
最大柵源電壓Vgs:�20V
連續(xù)漏極電流Id�42A
�(dǎo)通電阻Rds(on)�2.5mΩ(典型�,在Vgs=10V�(shí)�
總功耗Ptot�120W
�(jié)溫范圍Tj�-55℃至+175�
封裝形式:SOT-223
GA1206A2R2DXBBC31G 具有以下顯著特點(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電阻,可有效降低導(dǎo)通損耗并提升系統(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)速度,適合高頻應(yīng)用場��
3. 高雪崩擊穿能�,增�(qiáng)了器件在異常條件下的可靠��
4. 良好的熱�(wěn)定性和散熱性能,確保長�(shí)間運(yùn)行的可靠��
5. 小型化封裝設(shè)�(jì),節(jié)省PCB空間的同�(shí)保持�(yōu)異的電氣性能�
6. 支持高電流密�,滿足大功率�(yīng)用需求�
這些特性使得該MOSFET非常適合用作高效能功率開�(guān)元件�
該元器件廣泛�(yīng)用于各類電力電子�(shè)備中,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的主開關(guān)管或同步整流管�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器,用于降壓或升壓電路中的功率�(zhuǎn)��
3. 電機(jī)�(qū)動電路,�(shí)�(xiàn)對直流無刷電�(jī)或其他類型電�(jī)的精確控��
4. 太陽能逆變器中的功率管理模��
5. 各類工業(yè)自動化設(shè)備中的負(fù)載切換和保護(hù)電路�
由于其出色的性能,GA1206A2R2DXBBC31G 成為了許多高效能�(yīng)用的理想選擇�
IRFZ44N
STP40NF06L
FDP5500
AO3400