最大漏源電壓：100V
　　連續(xù)漏極電流：6A
　　導(dǎo)通電阻：160mΩ
　　柵極閾值電壓：2.8V~5.6V
　　輸入電容：1590pF
　　反向傳輸電容：330pF
　　開關(guān)速度：納秒級(jí)
　　結(jié)溫范圍：-55℃~+150℃

TF060N10NG的主要特點(diǎn)是其卓越的高頻性能和高能效。相比傳統(tǒng)的硅基MOSFET，該器件的開關(guān)頻率可提高數(shù)倍，同時(shí)降低了開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗。其氮化鎵技術(shù)帶來的低寄生電感和優(yōu)異的熱性能，使得在高功率密度應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
　　此外，該器件的增強(qiáng)型設(shè)計(jì)保證了其在電路中的安全性，無(wú)需額外的偏置電路即可實(shí)現(xiàn)正常工作。同時(shí)，其TO-247封裝形式提供了良好的散熱性能，便于用戶集成到各種功率電子系統(tǒng)中。

TF060N10NG廣泛應(yīng)用于高頻開關(guān)電源、服務(wù)器電源、通信電源、光伏逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器以及各類工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中。其高效的開關(guān)特性和低損耗使其成為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)的理想選擇。
　　尤其是在數(shù)據(jù)中心和電信基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域，該器件能夠顯著提升電源轉(zhuǎn)換效率，降低能源消耗。同時(shí)，在新能源汽車充電樁和太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)中，其高功率密度和可靠性能也得到了充分驗(yàn)證。

TP65H032WSG
　　GAN063-650WS8
　　GXT6502N10L