GA1206A271GBBBR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動和DC-DC�(zhuǎn)換器等場景。該芯片采用先進的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特點,能夠顯著提高系統(tǒng)效率并減少熱損��
這款功率MOSFET屬于增強型N溝道器件,支持高頻工作環(huán)�,并且具備出色的可靠性和�(wěn)定�,適用于對效率和性能要求較高的應(yīng)用場合�
類型:N溝道 MOSFET
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):8.5mΩ(典型�,Vgs=10V�
漏源極擊穿電壓(BVDSS):60V
連續(xù)漏極電流(Id):90A(@25°C�
柵極電荷(Qg):55nC
輸入電容(Ciss):2240pF
最大功耗:250W
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
封裝形式:TO-247
1. 超低�(dǎo)通電阻設(shè)計,有助于降低傳�(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 高速開�(guān)性能,適合高頻應(yīng)用環(huán)��
3. 極低的反向恢�(fù)電荷,減少了開關(guān)過程中的能量損失�
4. �(nèi)置ESD保護功能,提升了器件在實際使用中的抗靜電能力�
5. 支持大電流操�,適用于多種高功率應(yīng)用場景�
6. 寬工作溫度范圍確保了其在極端條件下的�(wěn)定運��
7. 符合RoHS標準,綠色環(huán)��
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開�(guān)�
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3. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流�
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IRFP2907, FDP18N60C, STP100NF06L