CSPEMI204G是一款高性能的MOSFET功率晶體�,采用PDFN5x6-8L封裝形式。該器件主要應用于電源管�、電機驅動和消費類電子產(chǎn)品等領域。其設計旨在提供低導通電阻和快速開關特�,從而實�(xiàn)更高的效率和更低的功��
CSPEMI204G特別適用于需要高能效和緊湊型解決方案的應用場�。由于其卓越的電氣特性和熱性能,它能夠支持各種嚴苛的工作條��
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�10A
導通電阻:2.8mΩ
柵極電荷�19nC
總電容:1750pF
工作結溫范圍�-55℃至175�
CSPEMI204G具有以下顯著特點�
1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,有助于降低傳導損耗并提高整體系統(tǒng)效率�
2. 快速開關能力,減少開關損�,適合高頻應��
3. 高電流承載能力,能夠在大電流條件下保持穩(wěn)定運��
4. �(yōu)秀的熱性能,確保在高溫�(huán)境下仍能可靠工作�
5. 小型化的PDFN封裝,節(jié)省PCB空間,非常適合對尺寸有嚴格要求的設計�
CSPEMI204G廣泛用于以下領域�
1. 開關電源(SMPS)和直流-直流轉換��
2. 電池管理和保護電��
3. 消費類電子設備中的負載開��
4. 工業(yè)控制和電機驅動應用�
5. LED驅動器和其他高效能功率轉換系�(tǒng)�
CSPEMI203G
IRF7843
FDP5800