GA1206A222JXCBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于高效率開�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等場(chǎng)�。該芯片采用了先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和出色的熱性能,非常適合對(duì)效率和散熱有較高要求的應(yīng)用場(chǎng)��
這款功率 MOSFET 屬于 N 溝道增強(qiáng)型器件,能夠提供卓越的電流承載能力和快速動(dòng)�(tài)響應(yīng)能力。通過(guò)�(yōu)化設(shè)�(jì),它在高頻開�(guān)條件下表�(xiàn)出色,并且能夠在較寬的工作電壓范圍內(nèi)�(wěn)定運(yùn)��
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
額定電壓(Vds):120V
額定電流(Id):65A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):2.2mΩ(典型值,在Vgs=10V�(shí)�
柵極電荷(Qg):79nC(典型值)
輸入電容(Ciss):4820pF(典型值)
輸出電容(Coss):340pF(典型值)
反向傳輸電容(Crss):260pF(典型值)
最大功耗:315W
工作溫度范圍�-55℃至+175�
GA1206A222JXCBR31G 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電� (2.2mΩ),可顯著降低�(dǎo)通損�,提高整體效��
2. 快速的開關(guān)速度和較低的柵極電荷 (79nC),適合高頻應(yīng)��
3. 具備出色的熱�(wěn)定�,能在高溫環(huán)境下持續(xù)工作�
4. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)了器件在異常條件下的耐受��
5. 小型化封裝設(shè)�(jì),便于集成到緊湊型電路中�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全可靠�
這些特性使該器件成為高效率電源�(zhuǎn)換和電機(jī)�(qū)�(dòng)的理想選��
GA1206A222JXCBR31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率�(jí)開關(guān)�
2. 電動(dòng)汽車 (EV) 和混合動(dòng)力汽� (HEV) 中的逆變器及輔助系統(tǒng)�
3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電�(jī)控制和驅(qū)�(dòng)�
4. 太陽(yáng)能微逆變器和其他可再生能源相�(guān)�(shè)��
5. LED 照明系統(tǒng)的恒流或恒壓控制�
6. 通信電源和不間斷電源 (UPS) 的核心功率組��
其高效能和可靠性使其特別適合需要高功率密度和嚴(yán)格散熱管理的�(yīng)用場(chǎng)��
IRFP260N
FDP18N120
STP120NF10
IXFN120N10T
FDS8948