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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > NGTG35N65FL2WG

NGTG35N65FL2WG 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/16 17:48:18 查看 閱讀�19

NGTG35N65FL2WG是一款由 Nexperia(原飛利浦半�(dǎo)體分立器件部門(mén))生�(chǎn)的高壓功率MOSFET,采用TO-263-3L封裝形式。該器件屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET,主要應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他需要高效能和高可靠性的電路中�
  這款MOSFET的設(shè)�(jì)旨在提供低導(dǎo)通電阻和高效�,同�(shí)具有快速開(kāi)�(guān)速度和出色的熱性能。它適用于要求嚴(yán)格的工作�(huán)�,能夠承受較高的電壓和電流負(fù)��

參數(shù)

最大漏源電壓:650V
  最大連續(xù)漏極電流�35A
  �(dǎo)通電阻:180mΩ
  柵極閾值電壓:4V
  功耗:297W
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

NGTG35N65FL2WG 具有以下顯著特性:
  1. 高耐壓能力,額定漏源電壓為650V,適合在高壓�(huán)境下使用�
  2. 低導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,典型值為180mΩ,在高頻�(kāi)�(guān)條件下可減少功率損��
  3. 快速開(kāi)�(guān)速度,降低開(kāi)�(guān)�(guò)程中的能量損失�
  4. TO-263-3L 封裝提供了良好的散熱性能,能夠有效管理熱量�
  5. 極寬的工作溫度范圍(-55°C�+175°C�,確保其在極端環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)��
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且�(mǎn)足國(guó)際規(guī)范要��

�(yīng)�

該MOSFET廣泛�(yīng)用于各種工業(yè)和消�(fèi)�(lèi)電子�(lǐng)�,包括但不限于以下場(chǎng)景:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS),如AC-DC適配器和充電器等�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器,用于電壓調(diào)節(jié)和電源管��
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,控制直流無(wú)刷電�(jī)或步�(jìn)電機(jī)�
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS),監(jiān)控和保護(hù)鋰離子電池組�
  5. 汽車(chē)電子�(shè)�,例如電�(dòng)助力�(zhuǎn)向系�(tǒng)(EPAS)和電�(dòng)�(chē)窗控��
  6. 太陽(yáng)能逆變�,將太陽(yáng)能電池板�(chǎn)生的直流電轉(zhuǎn)換為交流電�

替代型號(hào)

IRFZ44N
  STP36NF06
  FQP50N06L

ngtg35n65fl2wg推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

ngtg35n65fl2wg參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�83�(xiàn)�
  • �(jià)�1 : �29.49000管件
  • 系列-
  • 包裝管件
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • IGBT �(lèi)��(chǎng)截止
  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值)650 V
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大值)70 A
  • 電流 - 集電極脈� (Icm)120 A
  • 不同?Vge、Ic �(shí)?Vce(on)(最大值)2V @ 15V�35A
  • 功率 - 最大�300 W
  • �(kāi)�(guān)能量840μJ(開(kāi)��280μJ(關(guān)�
  • 輸入�(lèi)��(biāo)�(zhǔn)
  • 柵極電荷125 nC
  • 25°C �(shí) Td(開(kāi)/�(guān))�72ns/132ns
  • �(cè)試條�400V�35A�10 歐姆�15V
  • 反向恢復(fù)�(shí)� (trr)-
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ�
  • 安裝�(lèi)�通孔
  • 封裝/外殼TO-247-3
  • 供應(yīng)商器件封�TO-247-3