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SI2369BDS-T1-GE3 發(fā)布時間 時間�2025/5/15 13:23:43 查看 閱讀�20

SI2369BDS-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強� MOSFET。該器件采用 TrenchFET 第三代技�(shù),具有極低的�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度,適合用于要求高效能和小尺寸的應(yīng)用場�。其封裝形式� miniature surface-mount SOT-23,在功率�(zhuǎn)換、負載切�、DC/DC �(zhuǎn)換器以及電池供電�(shè)備等�(lǐng)域表�(xiàn)出色�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�4.8A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):75mΩ
  柵極電荷�11nC
  功耗:0.6W
  工作溫度范圍�-55°C � +150°C

特�

SI2369BDS-T1-GE3 的主要特性包括超低的�(dǎo)通電�,能夠有效降低傳�(dǎo)損耗并提升效率。同�,其小型化的 SOT-23 封裝使其非常適合空間受限的設(shè)�。此外,該器件還具備快速開�(guān)性能,有助于減少開關(guān)損�,并且擁有較高的電流承載能力,確保在大負載條件下的穩(wěn)定運��
  它采用了先進的 TrenchFET 技�(shù),使得單位面積內(nèi)的電流密度得以提�,從而實�(xiàn)更高的功率密�。其出色的熱性能也保證了即使在高溫環(huán)境下也能保持可靠的運行狀�(tài)�
  另外,這款 MOSFET 的低柵極電荷特性使其非常適合高頻應(yīng)用場合,例如同步整流、電機驅(qū)動以及便攜式電子�(shè)備中的電源管理模�??傮w而言,SI2369BDS-T1-GE3 是一款兼顧高性能與高可靠性的功率開關(guān)器件�

�(yīng)�

該器件廣泛應(yīng)用于消費類電子產(chǎn)�、工�(yè)控制及通信�(lǐng)�。具體應(yīng)用包括但不限于以下方面:
  1. 手機和平板電腦等便攜式設(shè)備的充電電路�
  2. 筆記本電腦適配器中的同步整流功能�
  3. 各種 DC/DC �(zhuǎn)換器和降�-升壓�(zhuǎn)換器�
  4. LED �(qū)動器中作為開�(guān)元件�
  5. 電池保護電路以及負載開關(guān)�(shè)��
  憑借其緊湊的體積和�(yōu)秀的電氣性能,SI2369BDS-T1-GE3 成為了眾多工程師在低電壓、大電流�(yīng)用中的首選解決方案�

替代型號

SI2302DS, SI2304DS, SI2305DS

si2369bds-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

si2369bds-t1-ge3參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�44,755�(xiàn)�
  • 價格1 : �4.21000剪切帶(CT�3,000 : �1.19826卷帶(TR�
  • 系列TrenchFET? Gen IV
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型P 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�30 V
  • 25°C 時電� - 連續(xù)漏極 (Id)5.6A(Ta��7.5A(Tc�
  • �(qū)動電壓(最� Rds On,最� Rds On�4.5V�10V
  • 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值)27 毫歐 @ 5A�10V
  • 不同 Id � Vgs(th)(最大值)2.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時柵極電�?(Qg)(最大值)19.5 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)+16V�-20V
  • 不同 Vds 時輸入電� (Ciss)(最大值)745 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.3W(Ta��2.5W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�SOT-23-3(TO-236�
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3