SI2369BDS-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強� MOSFET。該器件采用 TrenchFET 第三代技�(shù),具有極低的�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度,適合用于要求高效能和小尺寸的應(yīng)用場�。其封裝形式� miniature surface-mount SOT-23,在功率�(zhuǎn)換、負載切�、DC/DC �(zhuǎn)換器以及電池供電�(shè)備等�(lǐng)域表�(xiàn)出色�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�4.8A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):75mΩ
柵極電荷�11nC
功耗:0.6W
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
SI2369BDS-T1-GE3 的主要特性包括超低的�(dǎo)通電�,能夠有效降低傳�(dǎo)損耗并提升效率。同�,其小型化的 SOT-23 封裝使其非常適合空間受限的設(shè)�。此外,該器件還具備快速開�(guān)性能,有助于減少開關(guān)損�,并且擁有較高的電流承載能力,確保在大負載條件下的穩(wěn)定運��
它采用了先進的 TrenchFET 技�(shù),使得單位面積內(nèi)的電流密度得以提�,從而實�(xiàn)更高的功率密�。其出色的熱性能也保證了即使在高溫環(huán)境下也能保持可靠的運行狀�(tài)�
另外,這款 MOSFET 的低柵極電荷特性使其非常適合高頻應(yīng)用場合,例如同步整流、電機驅(qū)動以及便攜式電子�(shè)備中的電源管理模�??傮w而言,SI2369BDS-T1-GE3 是一款兼顧高性能與高可靠性的功率開關(guān)器件�
該器件廣泛應(yīng)用于消費類電子產(chǎn)�、工�(yè)控制及通信�(lǐng)�。具體應(yīng)用包括但不限于以下方面:
1. 手機和平板電腦等便攜式設(shè)備的充電電路�
2. 筆記本電腦適配器中的同步整流功能�
3. 各種 DC/DC �(zhuǎn)換器和降�-升壓�(zhuǎn)換器�
4. LED �(qū)動器中作為開�(guān)元件�
5. 電池保護電路以及負載開關(guān)�(shè)��
憑借其緊湊的體積和�(yōu)秀的電氣性能,SI2369BDS-T1-GE3 成為了眾多工程師在低電壓、大電流�(yīng)用中的首選解決方案�
SI2302DS, SI2304DS, SI2305DS