GA1206A1R8DXABC31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載開�(guān)等領(lǐng)域。該芯片采用了先�(jìn)的溝槽式 MOSFET 技�(shù),具備低�(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),能夠顯著降低能量損耗并提升系統(tǒng)性能�
該器件支持高頻工作模�,適用于需要快速開�(guān)的應(yīng)用場(chǎng)�,同�(shí)其封裝設(shè)�(jì)�(yōu)化了散熱性能,從而提高了可靠��
型號(hào):GA1206A1R8DXABC31G
類型:N-Channel MOSFET
Vds(漏源極電壓):60V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�1.8mΩ
Id(連續(xù)漏極電流):120A
Qg(柵極電荷)�55nC
Fmax(最大工作頻率)�1MHz
封裝形式:TO-247-3L
GA1206A1R8DXABC31G 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),可有效減少�(dǎo)通損�,提高系�(tǒng)的整體效��
2. 高額定電流能� (120A),使其能夠在大電流應(yīng)用中表現(xiàn)出色�
3. 支持高達(dá) 1 MHz 的開�(guān)頻率,適合高頻開�(guān)�(yīng)��
4. 封裝�(shè)�(jì)具有良好的散熱性能,可承受較高的結(jié)��
5. 短路保護(hù)功能增強(qiáng),提升了器件在異常條件下的可靠��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且無鉛,滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品對(duì)�(huán)保的要求�
該芯片主要應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管或同步整流��
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)器中的功率級(jí)控制,如直流無刷電機(jī)�(qū)�(dòng)�
3. 大電流負(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
4. 充電器和適配器中的功率轉(zhuǎn)換模��
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制單��
6. 汽車電子中的各類功率管理模塊�
GA1206A1R8DXABC31H, IRF1206Z, FDP120AN6S