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GA1206A1R8DXABC31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/19 17:41:19 查看 閱讀�22

GA1206A1R8DXABC31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載開�(guān)等領(lǐng)域。該芯片采用了先�(jìn)的溝槽式 MOSFET 技�(shù),具備低�(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),能夠顯著降低能量損耗并提升系統(tǒng)性能�
  該器件支持高頻工作模�,適用于需要快速開�(guān)的應(yīng)用場(chǎng)�,同�(shí)其封裝設(shè)�(jì)�(yōu)化了散熱性能,從而提高了可靠��

參數(shù)

型號(hào):GA1206A1R8DXABC31G
  類型:N-Channel MOSFET
  Vds(漏源極電壓):60V
  Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�1.8mΩ
  Id(連續(xù)漏極電流):120A
  Qg(柵極電荷)�55nC
  Fmax(最大工作頻率)�1MHz
  封裝形式:TO-247-3L

特�

GA1206A1R8DXABC31G 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),可有效減少�(dǎo)通損�,提高系�(tǒng)的整體效��
  2. 高額定電流能� (120A),使其能夠在大電流應(yīng)用中表現(xiàn)出色�
  3. 支持高達(dá) 1 MHz 的開�(guān)頻率,適合高頻開�(guān)�(yīng)��
  4. 封裝�(shè)�(jì)具有良好的散熱性能,可承受較高的結(jié)��
  5. 短路保護(hù)功能增強(qiáng),提升了器件在異常條件下的可靠��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且無鉛,滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品對(duì)�(huán)保的要求�

�(yīng)�

該芯片主要應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管或同步整流��
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)器中的功率級(jí)控制,如直流無刷電機(jī)�(qū)�(dòng)�
  3. 大電流負(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
  4. 充電器和適配器中的功率轉(zhuǎn)換模��
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制單��
  6. 汽車電子中的各類功率管理模塊�

替代型號(hào)

GA1206A1R8DXABC31H, IRF1206Z, FDP120AN6S

ga1206a1r8dxabc31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • 電容1.8 pF
  • 容差±0.5pF
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-