EPC4QI100N 是由 Efficient Power Conversion (EPC) 公司推出的一款基于氮化鎵(GaN)技術的場效應晶體管(FET�。該器件采用增強� GaN 技�,具有低導通電阻和快速開關速度的特�。EPC4QI100N 主要用于高頻電源轉換、DC-DC 轉換�、無線充電設備以及激光雷達系�(tǒng)等應用�
EPC4QI100N 的封裝形式為芯片級封裝(CSP�,這種設計有助于減少寄生電感并提高整體效率。此�,由于其高頻率運行能力,能夠顯著減小無源元件的尺�,從而降低整個系�(tǒng)的體積與成本�
額定電壓�100V
最大漏源電流:37A
導通電阻:18mΩ
柵極電荷�3.6nC
輸入電容�1150pF
輸出電容�230pF
反向傳輸電容�95pF
工作溫度范圍�-55� � +125�
EPC4QI100N 擁有非常低的導通電阻和柵極電荷,這使得它在高頻條件下表現(xiàn)出優(yōu)異的效率和性能�
由于采用了先進的 GaN 技�,該器件能夠支持高達�(shù)兆赫茲的工作頻率,同時具備出色的熱性能�
其芯片級封裝(CSP)進一步優(yōu)化了 PCB 布局,減少了寄生參數(shù)的影�,并提高了功率密��
此外,EPC4QI100N 還具有短路保護功�,在某些異常情況下可以有效避免永久性損壞�
總體而言,這款 GaN FET 非常適合需要高效能和小型化的現(xiàn)代電子設��
EPC4QI100N 廣泛應用于高� DC-DC 轉換器、服務器電源、工�(yè)電機驅動器以及消費類電子產品中的無線充電模塊�
在激光雷達領�,該器件憑借其快速的開關速度和低損耗特性,成為理想的驅動選��
另外,它也適用于光伏逆變器、電動汽車充電樁以及其他要求高效能量轉換的應用場��
EPC2020
EPC2022
EPC2025