GA1206A1R2DXCBC31G 是一款高性能� MOSFET 功率晶體�,采用先�(jìn)的制造工藝設(shè)�(jì)。該器件具有低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能,適合用于電源管�、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及各類功率�(zhuǎn)換應(yīng)用中�
其封裝形式為 DFN8,能夠有效提升散熱性能并減少寄生電感對(duì)高頻開關(guān)的影響�
型號(hào):GA1206A1R2DXCBC31G
類型:N-Channel MOSFET
漏源極擊穿電壓(Vds):60V
連續(xù)漏極電流(Id):14A
柵極電荷(Qg):29nC
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.5mΩ
總功耗(Ptot):1.4W
工作溫度范圍(Tj):-55� � +175�
封裝:DFN8
這款 MOSFET 的主要特�(diǎn)是低�(dǎo)通電� (Rds(on)) 和低柵極電荷 (Qg),這使其在高頻開關(guān)�(yīng)用中表現(xiàn)出色,并能顯著降低傳�(dǎo)損耗和開關(guān)損��
此外,它還具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠�,能夠在較高的結(jié)溫下保持�(wěn)定的性能表現(xiàn)�
由于采用� DFN8 封裝,該器件體積小巧,非常適合空間受限的�(shè)�(jì)�(huán)�,同�(shí)也能滿足表面貼裝技�(shù)(SMT)的需求�
GA1206A1R2DXCBC31G 廣泛�(yīng)用于各種需要高效功率轉(zhuǎn)換的場景,包括但不限于:
- 開關(guān)電源 (SMPS)
- DC/DC �(zhuǎn)換器
- 電池管理系統(tǒng) (BMS)
- 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載開�(guān)
- 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電�(jī)�(qū)�(dòng)
- 筆記本電腦及平板充電適配�
該器件因其高效和可靠的特�(diǎn),在消費(fèi)電子、工�(yè)控制和汽車電子領(lǐng)域均有廣泛應(yīng)��
GA1206A1R2DXCBC30G, IPD110P06N1LH